Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發展起來的一種新型半導體不揮發存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電後保持數據不丟失。
NOR Flash是Flash存儲器中最早出現的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節或單字編程， 允許CPU直接從芯片中讀取代碼執行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統應用開發中佔有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單片機爲例，針對大容量NORFlash在8位低檔單片機中應用的特殊性，詳細介紹了其接口硬件和接口 軟件的設計方法。
1 SST39SF040芯片介紹
SST39SF040是SST公司最近推出的一種基於SuperFlash技術的NOR Flash存儲器，屬於SST公司並行閃速存儲器系列；適用於需要程序在線寫入或大容量、非易失性數據重複存儲的場合。
1.1 芯片內部功能結構和外部引腳
圖1是SST39SF040的內部功能結構框圖，由Super-Flash存儲單元、行譯碼器、列 譯碼器、地址緩衝與鎖存器、輸入／輸出緩衝和數據鎖存器以及控制邏輯電路等部分組成。圖2是其外部引腳分佈圖，其中A18～A0爲地址線，CE爲芯片選通 信號，OE可作爲讀信號，WE爲寫信號，DQ7～DQ0爲數據線。
1.2 芯片的主要特性
① 容量爲512 KB，按512K×8位結構組織。
② 採用單一的5 V電源供電，編程電源VPP在芯片內部產生。
③ 芯片可反覆擦寫100 000次，數據保存時間爲100年。
④ 工作電流典型值爲10 mA，待機電流典型值爲30μA。
⑤ 扇區結構：扇區大小統一爲4 KB。
⑥ 讀取、擦除和字節編程時間的典型值：數據讀取時間爲45～70 ns；扇區擦除時間爲18 ms，整片擦除時間爲70 ms；字節編程時間爲14μs。
⑦ 有記錄內部擦除操作和編程寫入操作完成與否的狀態標誌位。
⑧ 具有硬、軟件數據保護功能。
⑨ 具有地址和數據鎖存功能。
 |
1.3 芯片的操作
1.3.1 芯片的軟件操作命令序列
SST39SF040的軟件操作可以分成兩類：普通讀操作和命令操作。
普通讀操作非常簡單，與RAM的讀操作類似，當OE和CE信號同時爲低電平時，即可從芯片讀出數據。
芯片的命令操作包括芯片的識別、字節編程、扇區擦除以及整片擦除等。這些操作分別由各自的軟件操作 命令序列來完成，如表1所列。其中，BA爲待編程字節的地址，Data爲字節編程數據，SAX爲待擦除扇區的地址。命令中的地址只有低15位有效，高4位 可任意設置爲“0”或“1”。
|
|
SST39SF040的軟件操作命令序列實際上是由一個或多個總線寫操作組成的。以 SST39SF040的扇區擦除爲例，其操作過程包括3個步驟：第1步，開啓擦除方式，用表1中給出的第1至第5週期的總線寫操作來實現；第2步，裝載扇 區擦除命令(30H)和待擦除扇區的地址，用其對應的第6週期的總線寫操作來實現；第3步，進行內部擦除。內部擦除時間最長爲25 ms。
總線寫操作時，OE必須保持爲高電平，CE和WE應爲低電平。地址和數據的鎖存由CE和WE兩個信號的邊沿進行控制。它們當中後出現的下降沿將鎖存地址，先出現的上升沿將鎖存數據。
1.3.2 字節編程和擦除操作的狀態檢測
芯片在進行內部字節編程或擦除操作時都需要花費一定的時間，雖然可以採用固定的延時來等待這些操作 的完成，但爲了優化系統的字節編程和擦除操作時間，以及時判斷內部操作的完成與否，SST39SF040提供了兩個用於檢測的狀態位，即跳變位DQ6和數 據查詢位DQ7。在芯片進行內部操作時，只要根據圖3的流程對DQ6或者DQ7進行查詢就能及時作出判斷。
2 SST39SF040與MCS-51的接口設計
2.1 硬件設計
硬件設計就是搭建合適的接口電路，將SST39SF040連接到MCS-51的系統總線上。根據 SST39SF040和MCS-51系列單片機的結構特性，我們發現SST39SF040的數據線和讀、寫信號線可以很容易地連接到MCS-51的系統總 線上，所以要考慮的主要問題是SST39SF040地址線的連接。由於其容量已經超出了MCS-51的尋址範圍，19根地址線無法全部連接到MCS-51 的地址總線上，因此必須在該系統中進行進一步的存儲器擴展。存儲器擴展通常可利用單片機空閒的I／O口線作爲頁面地址輸出引腳來實現。但是許多應用系統當 中，單片機的I／O口線都是非常緊張的，在沒有多餘的I／O口線時，頁面地址就必須提前從數據總線輸出並存放在鎖存器中備用。具體做法是：將鎖存器直接掛 在數據總線上，爲其安排一個I／O地址，從而構成頁面寄存器，在訪問存儲器時，提前將頁面地址作爲數據寫入頁面寄存器即可。
 |
根據以上分析可設計出SST39SF040與MCS-51之間的接口電路，如圖4所示。本系統中， 將512 KB的存儲器分爲32頁面，每頁大小爲16 KB。由此可得，頁面地址需要5位，頁內偏移量需要14位。頁面地址的給出是在進行存儲器訪問之前完成的，具體的方法是：用一條“MOVX"’命令將頁面 地址輸出到鎖存器74LS374中，再由74LS374將頁面地址保持在存儲器的地址引腳A14～A18上。頁內偏移量則直接在存儲器的讀寫命令中給出， 執行命令時，低8位地址A0～A7從P0口輸出到74LS373中保持；地址A8～A13則由單片機的P2.0～P2.5直接提供。以上分時輸出的地址信 號A0～A18將在讀／寫控制信號開始作用後，同時有效，以實現對SST39SF040的512KB全地址空間的訪問。P2.6和P2.7分別用作 SKT39SF040和鎖存器74LS374的片選信號，SST39SF040的片選信號地址範圍是8000H～BFFFH，74LS374的片選信號地 址範圍是4000H～7FFFH。
 |
2.2 軟件設計
軟件設計就是編寫對SST39SF040的操作程序，包括字節讀出、扇區或整片擦除以及字節編程等。下面給出第1個扇區的擦除程序，其中DELAY25爲25 ms延時子程序，其他操作程序可參照編寫。
程序編寫過程中的難點是，如何將SST39SF040中待訪問的單元地址進行分解並對應到讀寫命令 中去。以扇區擦除操作的第1個命令爲例，該命令的功能是將數據AAH寫入地址5555H中。對於地址5555H，其最高5位A18～A14是01H，低 14位A13～A0爲1555H。最高5位地址決定的頁面號必須先作爲數據寫入鎖存器74LS374中，再將數據AAH寫入該頁中由低14位地址決定的單 元。寫入頁面號時，指令中的地址可在4000H～7FFFH範圍內任選一個，即選中鎖存器74LS374；寫人數據AAH時，指令中的地址可由低14位地 址1555H加上8000H得到，其值爲9555H。
第1扇區擦除程序代碼如下：
 |
 |
結 語
本文從硬件和軟件兩個方面對大容量NOR Flash存儲器與8位單片機的接口技術進行了分析、探討，給出了具體的設計方案。其思想和方法對嵌入式系統的應用設計具有較高的參考價值，筆者已將它應用到一款考勤機產品的設計開發當中。