市調公司Objective Analysis分析師Jim Handy表示，“到了某個時間點，NOR將會因爲微縮問題而帶來挑戰，所有的MCU和ASIC製造商及其邏輯代工廠，將會需要新的非揮性內存技術用於程序代碼儲存——它可能發生在40nm或是14nm，最終將取決於代工廠的邏輯工藝進展。”Handy將在即將舉行的美國國際半導體展(Semicon West)上發表新興內存市場趨勢。新興的內存技術可望在嵌入式應用中找到大量市場，從而取代NOR閃存(flash)，用於在微控制器(MCU)與ASIC中儲存程序代碼。工業主板
業界目前面臨的挑戰是，在這些新內存技術得以量產以前，價格都還會十分昂貴。Handy說，其中，磁阻式隨機存取內存(MRAM)最具優勢，因爲Everspin長久以來一直在銷售其暫存用的獨立芯片。
格芯科技(Globalfoundries)則支持嵌入式MRAM (eMRAM)。Globalfoundries嵌入式內存副總裁David Eggleston說：“我們目前正與前五大MCU製造商中的四家公司合作，他們在40nm之後需要的是用於FinFET或FD-SOI的更低成本嵌入式閃存(e-flash)替代方案，因爲將eflash添加到邏輯平臺的成本開始大幅增加了。”
Eggleston指出，隨着Globalfoundries、臺積電(TSMC)和三星(Samsung)分別量產不同的eMRAM版本——FD-SOI、bulk和SRAM替代產品，eMRAM開始變得更成熟，產量也逐漸提高中。
Globalfoundries推出採用採用22nm工藝的eMRAM，併爲Everspin製造了256-Mbit和Gbit的獨立MRAM產品。Globalfoundries和臺積電都有能力展現eMRAM的高溫性能，以確保汽車製造商和工業用戶能夠在高溫(包括在260°C的迴流焊)環境下仍保有儲存的數據。
Globalfoundries還與IP設計供應商eVaderis合作，提供可降低功耗泄漏的嵌入式MRAM設計。Eggleston說：“相較於較SRAM，汽車製造商對於eMRAM更易於降低泄漏以提高功率預算的特性備感興趣。”
Crossbar Inc.首席執行官George Minassian指出，在各種新興的內存替代方案中，“ReRAM具有可擴展性的優勢，因爲即使是緊密封裝中，在1和0的導電細絲(filament)和無導電細絲之間的差別，仍然足夠大而可加以測量。”Minassian將在Semicon West上發表有關ReRAM的最新進展。
Minassian表示，ReRAM的最初應用將會是邏輯組件的嵌入式內存。Crossbar的組件目前正接受使用傳統CMOS材料的客戶進行驗證與測試。Microsemi最近取得了Crossbar的技術授權。此外，該公司還展示了用於邊緣進行AI影像辨識的ReRAM芯片。
Eggleston表示：“ReRAM在這些較小的工藝節點上變得越來越有意思了，這些更低成本的簡單組件在選擇器上使用二極管取代晶體管，它可能會與嵌入式flash在程序代碼儲存方面形成價格競爭。此外，雖然堆棧本身非常簡單，但爲了控制原有的變異而在位單元(bitcell)之外進行許多設計，造成ReRAM上市時程不斷地延遲。”
到目前爲止，唯一的ReRAM商業應用似乎是Adesto Technology的導電橋接記憶(CBRAM)。 Handy說，這種抗輻射組件目前主要應用於以X射線消毒殺菌的手術器械中。
新興內存技術將面臨相同的市場需求——如同DRAM與NAND一樣加速量產以降低成本.