什麼叫DCD
DataContact Detect(DCD)
1.首先是DCD
2.然後是Primary detection
3.然後是Secondary detection
檢測充電的條件是VBUS>VOTG_SESS_VLD
檢測流程
1.DCD 階段
打開IDP_SRC與RDM_DWN,檢測D+上的電壓和VLGC_LOW比較.如果VDP小於VLGC_LOW，或者TDCD_TIMEOUT則DCD階段結束,這個時候應該關閉IDP_SRC和RDM_DWN
標準的CDP和SDP都是支持DCD的
2.PRI階段
暫不考慮ACA
打開D+上打開VDP_SRC，然後檢查D-的電壓和VDAT_REF比較，如果VDM 大於VDAT_REF，則可以是DCP或者是CDP,如果VDM小於VDAT_REF則是SDP
關閉VDP_SRC
3.SEC階段
在D-上打開VDM_SRC,然後比較D+的電壓與VDAT_REF，如果VDP大於VDAT_REF則PD連接的是DCP，如果VDP小於VDAT_REF則PD連接的是CDP.
當檢測到是DCP時，應該關閉VDM_SRC，
打開VDP_SRC或者通過RDP_UP上拉D+到VDP_UP
當檢測到是CDP時，應該關閉VDM_SRC，使得D+和D-都保持低位until ready to connect and be enumerated.
SDP和CDP都是能夠通過DCD的檢測的。大部分DCP也是能夠通過DCD的檢測的。DCP其實是將D+和D-中間加電阻短接。而CDP來說可以認爲D+和D-直接連接檢測DCD的過程是將DP上的電流源IDP_SRC和RDM_DOWN打開，檢測D+上的電壓值。標準的SDP和CDP由於RDM_DOWN的電阻比較小，電壓值不夠VLGC_LOW，也就是說DP上的電壓小於0.8V則認爲是通過了DCD的檢測。
可以認爲通過DCD的就是標準的DCP/SDP/CDP的充電器，沒有通過的都是特殊的充電器
其原理就是:
一般可以認爲充電口D+/D-上的電阻值比較小，也沒什麼上拉的電阻把上面的電壓值拉高，所以使用一個電流源IDP_SRC(Data Contact Detect CurrentSource 7~~13uA)在DP上，這個電流源在沒有連接充電器的時候會使得DP+上的電壓值高於2.0V。而如果PD和充電端口連上的時候，由於D+/D-上面有接地電阻，而且該接地電阻一般最多也就24.8KR，這樣的電阻不能使得DP上的電壓值達到VLGC_LOW=0.8V。這樣判斷VDP<VLGC_LOW就表示數據引腳連接上了。
注意:
看DCD的時候不僅要看BC1.2也要看BC1.1,有助於理解爲什麼IDP_SRC的電流，以及DCD的原理
檢查當前的DP/DM的類型的方式:
1.通過RX CMD
2.通過讀取ULPI 寄存器 DEBUG的linestate[Bit1 Bit0].
3.TI有個Vendor specific的寄存器可以測量debounced的DP/DM值
檢測充電器時，比如DCD階段需要打開IDP_SRC和RDM_DWN.這裏RDP_DWN 和RDM_DWN分別是在chargerdetection module的DP和DM的下拉電阻。該電阻和由DPPULLDOWN和DMPULLDOWNbit位控制的PHY block的DM 下拉電阻是物理上不同的電阻.
檢查充電的DP/DM下拉電阻和PHY的DP/DM的下拉電阻是不一樣的。其實他們的電阻值的要求也是不一樣的。
USB charger detection前提條件PHY不再驅動DP/DM，PHY上的DP/DM上的上拉下拉電阻必須關閉,處於全速模式狀態
問題:
在插入的時候，高速設備的terminatorresistor 是否連上？D+與D-上的電阻是否連上？
充電檢測的順序和enumeration的順序是怎樣的？