編程原理
編程是通過FowlerNordheim (FN)隧穿來實現的，給TOX(Tunnel Oxide，隧道氧化物）增加強電場時，電子可以通過TOX，進入浮柵。優點是電流小，可以多個Cells同時操作。
圖1 編程過程中電壓情況
Program
如圖1-i中爲需要編程的Cell，它所在的WL3增加編程電壓Vpp=20V，通道爲0V，此時有足夠的強電場進行編程操作。因此位線BL2驅動爲0V，同時BL2上其它Cells需要導通（增加柵壓Vpass=10V），從而使得達到編程的要求。
Program Disturb
WL3上同時存在不需要編程的Cell，比如說BL1、WL3的Cell，被稱爲program-inhibit cell(編程抑制單元，翻譯水平不高~)。老做法是，BL1電壓驅動足夠高，使得TOX不足以產生電子隧穿。缺點是實現起來複雜，而且需要增加電壓泵，佔用空間。溝道電勢爲6-8V的時候，纔能有效抑制編程。
現在使用一種叫做“Self-Boosted Program Inhibt”（SBPI）的方法，來提高通道的電勢。大致是原理是通過柵壓和電容耦合來提高通道的電勢。具體圖1-ii，通道電勢可以達到6V，此時TOX電場強度達不到編程的要求。
Pass Disturb
和編程Cell處於同一條線上的其他Cells，由於也加了電壓Vpass=10V，如圖1-iii，所以這些Cells也相當於接受了輕微的編程。
PS：
Vpass太低，Program Disturb的Cell編程抑制效果不好；Vpass太高，Pass Disturb的Cell干擾增加，所以Vpass的值需要選擇在特定的範圍內，兩者均衡。
編程流程
圖2 ISPP編程電壓和步進次數的關係
Nand Flash使用一種叫做ISPP(Increment Step Programming Pulse)的方式，如圖1。電壓步進的增量和保持時間預先已經設定好。編程電壓Vpp施加在Cell CG上，電子穿過氧化層進入浮柵，然後再校驗Vth是否已經超過預定值。如果校驗通過，那麼說明此時Cells中Vth分佈達到要求，編程結束。反之，使用下一個Vpp進行編程。當ISPP次數到達閾值，那麼認爲編程失敗。
大體流程如圖3。
圖3 ISPP編程流程