Table of Contents
2.1、bl (Memory Burst Length)突發長度
2.2、Number of Memory Chips 內存數量配置
2.4、內存類型(DDR DDR2 DDR3 LPDDR2-S4....)
3.2、Address Mapping Method映射方式
3.3、Number of Column/Row Address Bits(行列地址位數)
五、TIMINGROW TIMINGDATA TIMINGPOWER
5.1、重要的時間參數(tRCD tRP預充電 tRC tRAS tCL)
一、CONCONTROL寄存器
1.1、chipn_empty
1.2、clk_ratio
二、MEMCONTROL寄存器
2.1、bl (Memory Burst Length)突發長度
2.2、Number of Memory Chips 內存數量配置
2.3、芯片數據位寬度
2.4、內存類型(DDR DDR2 DDR3 LPDDR2-S4....)
三、MEMCONFIGn寄存器
3.1、內存基地址和內存大小範圍設置
我們的內存範圍是0x40000000~0x5FFFFFFF 因此偏移=0x5FFFFFFF-0x40000000=0x1FFFFFFF 因此把高三位屏蔽掉
chip_mask=0b(1110_0000) = 0xe0
同理chip1也是一樣的 chip_mask=0b(1110_0000) = 0xe0
3.2、Address Mapping Method映射方式
3.3、Number of Column/Row Address Bits(行列地址位數)
3.4、bank數量
四、TIMINGAREF寄存器
4.1、刷新間隔時間
五、TIMINGROW TIMINGDATA TIMINGPOWER
5.1、重要的時間參數(tRCD tRP預充電 tRC tRAS tCL)