這個驅動設計單從信號邏輯上分析比較容易理解，但要深入的理解和更好的應用，就需要對電路做較深入的分析，對一些外圍元件的參數確定做理論分析計算。圖中IC是一個高壓驅動芯片,驅動1個半橋MOSFET。Vb,Vs爲高壓端供電;Ho爲高壓端驅動輸出;COM爲低壓端驅動供電,Lo爲低壓端驅動輸出;Vss爲數字電路供電.此半橋電路的上下橋臂是交替導通的,每當下橋臂開通,上橋臂關斷時Vs腳的電位爲下橋臂功率管Q2的飽和導通壓降,基本上接近地電位,此時Vcc通過自舉二極管D對自舉電容C2充電使其接近Vcc電壓。當Q2關斷時Vs端的電壓就會升高,由於電容兩端的電壓不能突變,因此Vb端的電平接近於Vs和Vcc端電壓之和,而Vb和Vs之間的電壓還是接近Vcc電壓。當Q2開通時,C2作爲一個浮動的電壓源驅動Q2;而C2在Q2開通其間損失的電荷在下一個週期又會得到補充,這種自舉供電方式就是利用Vs端的電平在高低電平之間不停地擺動來實現的.由於自舉電路無需浮動電源,因此是最便宜的，如圖所示自舉電路給一隻電容器充電，電容器上的電壓基於高端輸出晶體管源極電壓上下浮動。圖中的D和C2是IR2104在脈寬調製(PWM)應用時應嚴格挑選和設計的元器件,根據一定的規則進行計算分析;並在電路實驗時進行調整,使電路工作處於最佳狀態，其中D是一個重要的自舉器件,應能阻斷直流乾線上的高壓,其承受的電流是柵極電荷與開關頻率之積,爲了減少電荷損失,應選擇反向漏電流小的快恢復二極管，芯片內高壓部分的供電都來自圖中自舉電容C2上的電荷;爲保證高壓部分電路有足夠的能量供給，應適當選取C2的大小。![]()
