B Advanced Commands in Modern NAND flash Memories
除了基本命令（讀、寫和擦）之外，
NAND閃存支持一組高級命令。
這些高級命令是複製的，多平面的，
多模交錯，是基本命令的擴展
一些使用限制
Multi-plane.
這個命令支持多個讀、程序
在多個plane上，相同的die在一個完全相同的情況下
並行的方式。在現代的閃存芯片中，一個多平面
命令通常以兩架plane爲目標，或者以其一般的形式，
2 n的plane。多平面命令所針對的頁面
必須有相同的芯片、die、plane和頁面地址，也就是說，
對於不同的頁面，只有塊數可以是不同的。
多平面命令可以顯著地提高flash
通過在內部提供高度的並行性
一個30-32的芯片，只有一個基本操作的成本
Multi-die Interleave
這個命令執行幾個頁面
讀，頁寫，塊擦除，還有另外兩種類型
不同的高級命令（回退和多平面）
在同一塊芯片上同時死亡。因爲die是獨立的,
對interleave命令沒有限制。
copy-back。
這個命令將頁面的數據移動到另一個頁面
在同一平面內，不佔據內部和
芯片的外部輸入/輸出總線。儘管在早期的產品中
複製支持28，29，假設地址是
源頁和目標頁面必須是奇數或
兩者都是，在當前的產品中，這一限制已經放寬，
在我們的設計中沒有考慮到。