轉自：http://bbs.elecfans.com/forum.php?mod=viewthread&tid=458808&extra=
問題：
問題由某 UPS 製造公司提出。其工程師在某型號新產品的設計中，使用了 STM32 器件，型號爲：STM32F101xxT6。在其設計中，STM32 有兩路供電，其中一路的電壓爲 3.3V，爲 VDD 及VDDA供電，而另外一路的電壓爲 3.0V，爲 VBAT 供電。兩路供電都是由同一個畜電池的輸出電壓，分別經過各自的電壓轉換電路處理而得到的。其中，3.3V 供電由電源開關控制，而 3.0V供電則爲常通，其電路如圖1所示：
圖1
據其工程師反映，電路的 VBAT 節點處的電壓在第一次接通畜電池時並不是 3.0V，而是700mV 左右。而打開電源開關，提供另一路 3.3V 供電後，該節點的電壓跳變到 3.0V。而後，無論有無 3.3V 供電，該節點的電壓都能維持在 3.0V。如圖2所示：
圖2
這一現象對產品的各項功能沒有影響，但其工程師想了解其中緣由，杜絕隱患。
調研：
對圖1所示電路的開路電壓、短路電流、輸出電阻及輸出端 RC 常數進行計算：
圖3
於是，圖1的電路可以用圖4的電路來等效：
圖4
結論：
由圖4可見，該電路存在兩點問題：
1. 過大的輸出電阻（543K） ，使得該電路沒有足夠的驅動能力帶動負載；
2. 過大的輸出電容（56uF） ，使得該電路的輸出電壓上升緩慢（30.4S） ，不利於 MCU產生上電覆位，同時，也會造成在 VDD 上電時從VBAT 送出的衝擊電流過大；
由於以上兩點原因，VBAT 沒有成功的完成上電過程，而 STM32 的後備域電路也沒有被複位，而是停留在某種紊亂的狀態。在這種狀態下，VBAT 的輸入電流較大，使得VBAT節點處的電壓無法繼續升高。當 VDD 上電時，VDD 會通過芯片內部電路，從 VBAT 引腳送出一個瞬間的衝擊電流，這一電流幫助 VBAT 節點的電壓迅速升高，從而完成 VBAT的上電過程。於是，芯片的後備域電路被複位，VBAT 的輸入電流下降到了正常的工作
電流。從而，既便 VDD 被關掉，VBAT 也能維持在正常的工作電壓，保證後備域電路能夠正常工作。這一過程正是前面所描述的現象。
處理：
1. 調整分壓電阻的參數，使輸出電阻降爲 100K；
2. 將 56uF 電容換成 0.1uF電容；
建議：
雖然在 STM32 的數據手冊中給出了 VBAT 的工作電流的參數，即：小於 1uA，但是其中並未給出在後備域電路被複位之前，VBAT 的輸入電流是多少。根據經驗，這時需要電源提供的 20uA 以上的電流，才能保障後備域電路上電覆位過程順利的完成。另外，在STM32 的參考手冊中，講述了在 VDD 上電的時候，會有瞬時的衝擊電流從 VBAT管腳送出，但沒有明確的說明該電流有多大。因此，在設計 VBAT 的供電電路時，有關該電路的輸出電阻的設計，要從兩方面考慮：
1． 不能太大。如果太大，則不能滿足在 VBAT 上電的過程中，VBAT 的輸入電流對電源
的帶負載能力的要求；
2． 不能太小。如果太小，則不能有效的限制 VDD上電時從 VBAT 管腳送出的衝擊電流，
從而損傷芯片或後備電池；
一般來說，該參數可選在 50K - 100K 之間。同樣，考慮到會有衝擊電流從 VBAT 管腳送出，因而輸出電容的參數也不宜過大。STM32 的數據手冊中給出的推薦值是 0.1uF。