摘要：
目前的Flash有nand和nor兩種，我們可以認爲flash是EEPROM的變種。intel在1988年開發出nor flash技術，徹底改變了EEPROM一統天下的局面。nand flash分爲MLC和SLC兩種，從前的SLC一般採用Hamming碼來實現ECC，能夠檢測2bit錯誤，自動糾正1bit錯誤。但對於MLC雖說具有存儲密度上的優勢，但也掩飾不了自身的缺陷。
1、讀寫次數較差
MLC讀寫效能更差,SLC閃存約可以反覆讀寫10萬次左右，而MLC則大約只能讀寫1萬次左右，甚至有部分產品只能達到5000次左右。
2、讀寫速度較慢
同條件下，MLC的讀寫速度要比SLC芯片慢，目前MLC芯片速度大約只有2M到3M左右。
3、能耗較高
同條件下，MLC能耗比SLC高，要多15%左右的電流消耗。
4、出錯機率更大
由於MLC的每個cell可以存儲2bit的數據，隨着技術的不斷進步，3bit、4bit、、都有可能。這樣對於讀寫頻繁的數碼產品(MP4,SD卡等），其出錯的機率將會更大，因此對主控芯片和ECC將要求更高。目前有的主控芯片通過純軟件校驗，這樣，無形當中加重了主控芯片的負擔。也有部分主控通過硬件的4bit ECC校驗和軟件校驗相結合，從而減輕了主控負擔，但是這只是在一定程度上減少出錯的機率，MLC的芯片寫入次數限制和傳輸速度等缺點是無法克服的。
綜上所述，MLC需要多bit ECC，目前採用BCH和Reed Solomon算法的比較多，下面將詳細介紹本人採用的基於BCH算法的8b ECC(針對每個page 512byte的nand flash)。
糾錯能力：8b/512byte
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