MKE06-KDS-PE使用IntFlash方法

單片機：MKE06Z
環境：KDS（Kinetis Design Studio)
目的：使用片內的Flash存儲若干數據，實現讀寫。

1. KDS的PE中有兩個關於內部flash的組件：FLASH_LDD和IntFLASH，其中後者高級點，可以選擇後者。
2. 然後雙擊組件，對其進行配置。可能需要配置FLASH_LDD組件中的頻率，這裏配置爲12M。
   有三種寫的方法，可以選擇後兩者。第一種不進行擦除，需要手動先擦除。
   擦除後爲0xFF。
   
3. 重要的選擇我們自己使用的Flash的地址，系統默認的程序段放在地址從0x410–0x1FFFF的範圍內，其實真正的程序佔不滿，這裏把m_text的size修改爲0x1F000，那麼供我們使用的範圍爲0x1F410~0x1FFF，大小爲3055個字節。（雙擊CPU組件，選擇Build options）
   也可以通過生成的.map文件（在Debug文件夾中）查看程序和變量的分佈情況。
   當然也可以不修改，修改了之後PE在生成代碼時，應該會在我們設定好的範圍內生成，這樣更加安全點。

測試代碼和結果如下。
uint8 u8data_read;
uint8 u8data_write = 0x33;

uint16 u16data_read;
uint16 u16data_write = 0x4455;

uint32 u32data_read;
uint32 u32data_write = 0x66778899;

byte data_read[50];
byte data_write[] = {0x00,0x0B,0xCC,0x40,0x01,0x40,0x01,0x5B,
0x13,0x79,0x00,0x11,0x50,0x7B,0x01,0x21,
0x5A,0x1C,0x79,0x00,0x39,0xC6,0x81,0x5B,
0x3A,0xC6,0x10,0x7b,0x02,0xF0,0x06,0xC1,
0x1B,0x00};

void test_flash(void)
{
IFsh1_SetByteFlash(0x1F800,u8data_write);
IFsh1_GetByteFlash(0x1F800,&u8data_read);

IFsh1_SetWordFlash(0x1F804,u16data_write);
IFsh1_GetWordFlash(0x1F804,&u16data_read);

IFsh1_SetLongFlash(0x1F808,u32data_write);
IFsh1_GetLongFlash(0x1F808,&u32data_read);

IFsh1_SetBlockFlash(&data_write[0],0x1F810,sizeof(data_write));
IFsh1_GetBlockFlash(0x1F810,&data_read[0],sizeof(data_write));
}

4. 上面的8個函數，有的可能需要先使能再使用。點開左邊IntFlash組件，找到相應的函數，右鍵->Toggle Enable/Disable，然後重新生成代碼，編譯即可。
5. 後面的SetBolckFlash有時會漏掉後面的兩個字節或是隻存儲了前8個字節，所以，最好用前面的3種方法，計算好了地址，然後可以一一對應的存儲。
6. 最後可以在調試暫停後，打開Memery（Window菜單欄下），查看實際Flash的存儲情況，如上圖所示。
   完。