常見的動態RAM的共同特點是都靠電容存儲電荷的原理來寄存信息，電容上的電荷一般只能維持1~2ms，因此即使電源不掉電，信息也會自動消失，所以必須在2ms內對其所有存儲單元恢復一次原狀態，稱爲刷新，刷新是一行一行進行的。又因爲內存就一套地址譯碼和片選裝置，刷新與存取有相似的過程，它要選中一行，這期間片選線、地址線、地址譯碼器全被佔用着。所以刷新與存取不能並行。同理，刷新操作之間也不能並行，意味着一次只能刷一行。
（1）.集中刷新
指在規定的一個刷新週期內，對所有存儲單元集中一段時間逐行進行刷新。（一般是刷新週期的最後一段時間）
例如：對64*64的矩陣刷新，存取週期是0.5us，刷新週期爲2ms（佔4000個存取週期）。
則集中刷新共需0.5*64=32us（佔64個存取週期），在這段時間內存只用來刷新，阻塞一切存取操作，其餘3968個存取週期用來讀/寫或維持信息。
這64個存取週期稱爲“死時間”，所佔的比率64/4000*100%=1.6%稱爲死時間率。
這種方式的優點是速度高，缺點是死時間長。
（2）.分散刷新
指對每行存儲單元的刷新分散到每個存取週期內完成。其中，把機器的存取週期分成兩段，前半段用來讀/寫或維持信息，後半段用來刷新。
例如：對64*64的矩陣刷新，存取週期是0.5us，則讀寫周爲0.5us。
刷新週期爲：64*1us=64us。＜2ms ， 在2ms丟失電荷前就會及時補充。
優點是沒有死時間了，缺點是速度慢。
（3）.異步刷新
指不規定一個固定的刷新週期，將每一行分來來看，只要在2ms內對這一行刷新一遍就行。
例如：對64*64的矩陣刷新，存取週期爲0.5us。
要使每行能在2ms內刷新一次，即每隔 （2ms/64us） 刷新一行，也就是對這一行來說，下一次對它進行刷新的間隔，期間要經過64次內存刷新週期才又輪得到它。
每行刷新的時間仍爲0.5us，刷新一行只停止一個存取週期，但對每行來說，刷新間隔在2ms以內，死時間縮短爲0.5us。