去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器
件的高頻噪聲。數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分佈電感的典型值是5μH。0.1μF的去
耦電容有5μH的分佈電感，它的並行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對於10MHz以下的噪聲有較好的
去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容，並行共振頻率在20MHz以上，去除高頻
噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好
不用電解電容，電解電容是兩層薄膜捲起來的，這種捲起來的結構在高頻時表現爲電感。要使用鉭電容或
聚碳酸酯電容。去耦電容的選用並不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。