自2014年3D NAND問世，就一直聚焦着全世界的目光。經過幾年的沉澱，3D NAND行業可謂是"百家"崢嶸。說"百家"是有點誇張了，說白了，3D NAND行業也就是指三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士等這些Flash原廠巨頭，因爲他們基本完全把控着3D NAND的命脈。中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產公司自立。值得欣慰的是，紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，已經開始着力研發32層3D NAND，但要量產估計要到2019年了。
各大原廠發力第二代3D NAND
在國內還在爲32層第一代3D NAND奮鬥時，2017下半年Flash原廠三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士等64層/72層第二代3D NAND紛紛進入量產，英特爾和美光新型3D Xpoint技術也開始投入商用。此外，Flash原廠新Fab工廠也在擴大生產，比如：三星耗資150億美元新建的平澤Fab 18工廠，英特爾獨自投資升級設備的大連工廠，美光投資40億美元在Fab 10N旁新建的Fab 10X，
這裏特別提一點，雖然美光的3D NAND閃存量產時間晚於三星，不過他們在3D NAND也有獨到之處，採用了CuA的佈線結構。今年2月份美光公佈了世界上核心面積最小的256Gb 3D NAND閃存核心，只有59mm^2，與其他廠商的64層3D NAND相比，美光的256Gb核心密度達到了4.3Gb/mm^2，比競品高出25%左右。由於面積的優勢，美光的256Gb核心3D NAND主要用於移動市場。
第三代3D NAND在路上
今年6月28日東芝(Toshiba)和Western Digital(WD)領先業界，搶在存儲龍頭三星電子之前，宣佈研發出96層3D NAND flash存儲，並且已完成試產、性能確認等相關工作。該款堆疊96層的3D NAND產品爲TLC 256Gb（32GB），預計於2017年下半送樣、2018年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用SSD、PC用SSD以及智能手機、平板電腦和記憶卡等市場。
東芝今後也計劃推出採用堆疊96層製程技術的512Gb（64GB）3D NAND產品以及採用全球首見QLC技術的3DNAND產品。東芝目前已量產堆疊64層的3D NAND產品，而和64層產品相比，96層3D NAND每單位面積的記憶容量擴大至約1.4倍，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加，每bit成本也下滑。
除了東芝敲鑼打鼓的宣佈96層 3D NAND的研發外，其他巨頭現在還處於埋頭研發的狀態。特別是在東芝宣佈96層之後，韓國媒體就質疑東芝的真實性，推測應該是爲出售閃存業務造勢，並指出其實三星也已研發出96層3D NAND，但是考量到產品越先進，量產越困難，因此未對外公佈，要先等到全面量產再說。不管怎樣，我們還是相信存儲龍頭三星肯定有研發96層 3D NAND，至於何時量產，還沒有給出具體的時間。同時，在FMS全球閃存峯會上，三星也發佈QLC SSD，預計2018年正式出貨。
除了東芝和三星，海力士和美光也在全力研發96層3D NAND。 第三代3D NAND閃存預計會在2017年下半年推出，不過細節未知，從美光公佈的數據來看，3代3D閃存每單位晶圓的GB容量進一步提升40%。
行業展望
目前行業內仍主要是256Gb（32GB）3D NAND產品，在2017下半年至2018年，512Gb(64GB) 3D-TLC以及1Tb（128GB）3D-QLC將成爲市場主導。在2020之前，3D NAND更迭趨勢有望延續新的“摩爾定律”，即每個18月，技術更新一代，48L > 64L > 96L > 120L+……
未來三年，3D NAND將全面取代2D NAND顆粒。其中，TLC仍然是3D NAND的主力軍。
隨着第三代96層/QLC 3D NAND的到來，每GB的cost將進一步下降，價格優勢會助力3D NAND全面開花。
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