1. 關係
ROM, RAM, FLASH閃存, SSD, DDR3/4， eMMC, UFS, SD卡, TF卡, 這幾個名詞在手機和電腦等數碼產品的參數中經常出現，單獨看還明白是什麼，放在一塊，他們的主要用途和區別有時候會比較混亂，但知道他們都是存儲器，放東西的，存儲空間和體積有大有小、速度有快有慢、工藝有難又易，自然價格有高有低， 性價比最高的使用場合也很不同。
就從內存的概念開始，從功能上分，內存有三種：RAM、ROM和CACHE。
RAM，全稱叫Random Access Memory，意思是隨機存取存儲器，也就是運行內存，儲存的是軟件運行時和運行之後的相關數據，RAM越大，手機運行就越快，但是其作爲隨機存取內存，所以在關機之後RAM存的數據不會保存。在電腦中，主要是內存條，也被稱爲主存，關機斷電丟數據。
ROM，全稱是Read Only Memory，叫做只讀內存，也就是存儲內存。電腦的BIOS就是固化在主板的BIOS ROM芯片裏面的，電腦硬盤的也是ROM，放系統、用戶文件等。現在在講手機的存儲容量時基本上就是指的rom容量，一部分是系統佔用的，另一部分是用戶可自由支配的存儲空間，能存放手機軟件、用戶文件（照片、視頻等）。
CACHE，是高速緩存，是速度特別快的RAM，一般是靜態RAM（主內存是動態RAM），比動態RAM速度快得多，是用來彌補主內存速度不夠快而設定的。、
2.1 RAM的分類
2.1.1 DRAM
DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存儲器）是最爲常見的系統內存。我們使用的電腦和手機的運行內存都是DRAM。DRAM使用電容存儲，DRAM 只能將數據保持很短的時間。爲了保持數據，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。數據的存儲，請參考數據存儲模型。我們知道，電容中的電荷很容易變化，所以隨着時間推移，電容中的電荷數會增加或減少，爲了確保數據不會丟失，DRAM每隔一段時間會給電容刷新（充電或放電）。動態：定時刷新數據。
SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態隨機存取存儲器），爲DRAM的一種，同步是指Memory工作需要同步時鐘，內部命令的發送與數據的傳輸都以時鐘爲基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。
（1）DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：爲雙信道同步動態隨機存取內存，是新一代的SDRAM技術。DDR內存芯片的數據預取寬度（Prefetch）爲2 bit（SDRAM的兩倍）。
（2）DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：爲雙信道兩次同步動態隨機存取內存。DDR2內存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的兩倍）
（3）DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：爲雙信道三次同步動態隨機存取內存。DDR3內存Prefetch提升至8 bit，即每次會存取8 bits爲一組的數據。運算頻率介於 800MHz -1600MHz之間。
2.1.2 SRAM
SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機存儲器），它是一種具有靜止存取功能的內存，其內部機構比DRAM複雜，可以做到不刷新電路即能保存它內部存儲的數據。靜態：不需要刷新。
對比DRAM的優缺點：
- 優點：速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。
- 缺點：集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
2.2 ROM的分類
ROM（只讀存儲器）按其內容寫入方式，一般分爲3種：固定內容ROM；可一次編程PROM；可擦除ROM，又分爲EPROM（紫外線擦除電寫入）和EEPROM（電擦除電寫入）等類型。
2.2.1 固定內容ROM
是採用掩模工藝製作的，其內容在出廠時已按要求固定，用戶無法修改。由於固定ROM所存信息不能修改，斷電後信息不消失，所以常用來存儲固定的程序和數據。如在計算機中，用來存放監控、管理等專用程序。
2.2.2 PROM(Programmable ROM)
是可一次編程ROM。這種存儲器在出廠時未存入數據信息。單元可視爲全“0”或全“1”，用戶可按設計要求將所需存入的數碼“一次性地寫入”，一旦寫入後就不能再改變了。PROM在每一個存儲單元中都接有快速熔斷絲，在用戶寫入數據前，各存儲單元相當於存入“1”。寫入數據時，將應該存“0”的單元，通以足夠大的電流脈衝將熔絲燒斷即可。
2.2.3 EPROM(ErasablePro-grammable Read-only Memory)
爲了克服PROM只能寫入一次的缺點，出現了可多次擦除和編程的存儲器。EPROM是可擦除可編程的ROM，電寫入紫外線擦除的存儲器。
EPROM內容的改寫不像RAM那麼容易，在使用過程中，EPROM的內容是不能擦除重寫的，所以仍屬於只讀存儲器。要想改寫EPROM中的內容，必須將芯片從電路板上拔下，將存儲器上面的一塊石英玻璃窗口對準紫外燈光照射數分鐘，使存儲的數據消失。擦除時間大約爲10min~30min，視型號不同而異。爲便於擦除操作，在器件外殼上裝有透明的石英蓋板，便於紫外線通過。在寫好數據以後應使用不透明的紙將石英蓋板遮蔽，以防止數據丟失。數據的寫入可用軟件編程，生成電脈衝來實現。
2.2.4 E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)
是一種電寫入電擦除的只讀存儲器，擦除時不需要紫外線，只要用加入10ms、20V左右的電脈衝即可完成擦除操作。擦除操作實際上是對E2PROM進行寫“1”操作，全部存儲單元均寫爲“1”狀態，編程時只要對相關部分寫爲“0”即可。
2.2.5 Flash Memory快閃存儲器（閃存）
一般講Flash也是一種ROM，是EEPROM的變種，是新一代的EEPROM，它具有EEPROM擦除的快速性，結構又有所簡化，進一步提高了集成度和可靠性，從而降低了成本。目前除了各種快閃存儲器的產品面世外，快閃存儲器還向其他應用領域拓展，例如已經應用於計算機上的可移動磁盤，以代替軟磁盤。
Flash又分NAND Flash和NOR Flash，NOR型存儲內容以編碼爲主，其功能多與運算相關；NAND型主要功能是存儲資料，如數碼相機中所用的記憶卡。
（1）Nor Flash：主要用來執行片上程序
優點：具有很好的讀寫性能和隨機訪問性能，因此它先得到廣泛的應用；
缺點：單片容量較小且寫入速度較慢，決定了其應用範圍較窄。
（2）NAND Flash：主要用在大容量存儲場合
優點：優秀的讀寫性能、較大的存儲容量和性價比，因此在大容量存儲領域得到了廣泛的應用；
缺點：不具備隨機訪問性能。
SSD（Solid State Drives）是固態硬盤，是由閃存作爲存儲介質的硬盤方案。現在大部分的SSD都是用來存儲不易丟失的資料，所以SSD存儲單元會選擇NAND Flash芯片。SSD裏面會用到很多閃存的，要根據SSD的容量來定，比如一塊64G的固盤，可以選擇16 張 4G的flash，也可以選擇4張16G的flash，具體怎麼選擇要看線路設計及成本考量。嵌入式產品中包括數碼相機，移動設備的內存卡、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等也是用的NAND Flash芯片。
一塊SSD固態硬盤
一個SSD，爲了達到高並行高性能的要求，有多個NADN Flash 芯片，這樣就可以在每個芯片上進行相互獨立的讀寫操作，以並行性來提高硬盤吞吐量，還可以增加冗餘備份。
2.3 幾種“內存卡”
SD卡：Secure Digital Memory Card/SD card
是一種基於半導體快閃存儲器的新一代高速存儲設備。SD存儲卡的技術是從MMC卡( MultiMedia Card格式上發展而來，在兼容SD存儲卡基礎上發展了SDIO( SD Input/ Output)卡，此兼容性包括機械，電子，電力，信號和軟件，通常將SD、SDIO卡俗稱SD存儲卡。採用的也是NAND Flash芯片作爲存儲核心。用在數碼產品存儲照片、音樂、視頻等等。
TF卡：Trans-flash Card
原本這種記憶卡稱爲T-Flash，及後改稱爲Trans Flash；而重新命名爲Micro SD的原因是因爲被SD協會 (SDA) 採立，Micro SD卡是其最新的名字。採用的也是NAND Flash芯片作爲存儲核心。以前手機擴展內存用的那種黑黑的小內存卡。
MMC卡：MultiMediaCard
即多媒體卡，也是一種非易失性存儲器件，體積小巧，容量大，耗電量低，傳輸速度快。MMC共有7個pin,分爲兩種模式，分別爲MMC模式和SPI模式。MMC卡時鐘頻率是20MHz,比SD卡少兩個PIN,只有一位數據帶寬，所以最大傳輸速率爲2.5MHz。MMC也是一種接口協定（一種卡式），能符合這接口的內存器都可稱作mmc儲存體（mmc卡）。同爲閃存卡。
eMMC：不是卡，而是芯片
手機等小型化產品爲了節省空間和功耗，ROM一般採用eMMC 和 UFS，他們也是採用NADN Flash 芯片，與其他功能封裝在一起形成的，但遠遠沒有SSD那麼土豪，有那麼多個，eMMC 和 UFS一般只有一片或很少Flash，小巧使其面向的是移動端 。
後面重點介紹eMMC。
2.4 總結
在應用中，常規上ROM是用來存儲固化程序的，RAM是用來存放數據的。由於FLASH ROM比普通的ROM讀寫速度快，擦寫方便，一般用來存儲用戶程序和需要永久保存的數據。譬如說，電子溫度計，它的MCU是一款單片機（51/Stm32/ARM等），寫好編譯過的單片機程序就燒寫到ROM裏（但不同MCU程序執行的地方不一樣）。電子溫度計在工作過程中，外部溫度會影響傳感器的輸出電壓和電流，經過AD轉換後，單片機根據程序處理爲溫度值，模擬或者數字的電壓和電流都是整個過程產生的中間量（程序運行數據），用完就沒用了，因此這些值跑在RAM裏邊。然而計算完的溫度，是要保存起來的，除非我們自己把它刪掉，單片機會定時或者在停電的瞬間將電度數存入到FLASH。簡單說就是：程序在ROM裏，執行過程產生的數據在RAM裏，結果放在Flash裏。但很多產品Flash指的就是ROM，或者ROM就是某種Flash。
RAM和ROM是兩個大概念，看手機參數時碰到這兩個參數，只能看到內存大小，並不能看出具體是什麼類型以及到底使用的什麼存儲技術。在硬件稱呼上，手機的ROM類型之前多用的eMMC，現在主要是UFS，仍習慣直接叫ROM、RAM；但放在嵌入產品中，習慣叫Flash。
3. eMMC
eMMC (Embedded Multi Media Card）是MMC協會訂立、主要針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規格。由一個嵌入式存儲解決方案組成，帶有MMC（多媒體卡）接口、快閃存儲器設備及主控制器。所有都在一個小型的BGA 封裝。接口速度高達每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是1.8V或者是3.3V。它是在NAND閃存芯片的基礎上，額外集成了主控制器，並將二者“打包”封裝封成一顆BGA芯片，從而減少了對PCB主板的空間佔用，也是移動設備中普及度最高的存儲單元。eMMC的性能會隨着總線接口的升級而提升，而目前最新的標準就是eMMC 5.1。
優點：
- 簡化手機存儲器的設計。eMMC目前是當前最紅的移動設備本地存儲解決方案，目的在於簡化手機存儲器的設計，由於NAND Flash芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝（Toshiba）或海力士（Hynix）、美光（Micron）等，所以都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計，而過去並沒有技術能夠通用所有廠牌的NAND Flash芯片。
- 更新速度快。每次NAND Flash製程技術改朝換代，包括70納米演進至50納米，再演進至40納米或30納米制程技術，手機客戶也都要重新設計，但半導體產品每1年製程技術都會推陳出新，存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1顆MCP上的概念，隨着不斷地發展逐漸流行在市場中。
- 加速產品研發速度。eMMC的設計概念，就是爲了簡化手機內存儲器的使用，將NAND Flash芯片和控制芯片設計成1顆MCP芯片，手機客戶只需要採購eMMC芯片，放進新手機中，不需處理其它繁複的NAND Flash兼容性和管理問題，最大優點是縮短新產品的上市週期和研發成本，加速產品的推陳出新速度。
可以看出eMMC其實是一個有管理員的NAND Flash，主要功能還是存儲。
UFS：Univeral Flash Storage，我們可以將它視爲eMMC的進階版，是由多個閃存芯片、主控、緩存組成的陣列式存儲模塊。UFS彌補了eMMC僅支持半雙工運行（讀寫必須分開執行）的缺陷，可以實現全雙工運行，所以性能得以翻番。