1單選(1分)
存儲字長都取___。D
A.2 的倍數（如2,4,6…）
B.無限制
C.8
D.8的倍數
2單選(1分)
半導體存儲芯片的譯碼驅動方式有兩種___A
A.線選法和重合法
B.片選法和重合法
C.線選法和複用法
D.線選法和片選法
3單選(1分)
動態RAM常用的三種刷新方式中不包括 C
A.異步刷新
B.集中刷新
C.靜態刷新
D.分散刷新
4單選(1分)
某一SRAM芯片，其容量爲16K*8位，則其數據線和地址線的條數分別爲___D
A.地址線16根，數據線8根
B.地址線和數據線均爲14根
C.地址線和數據線均爲8根
D.地址線14根，數據線8根
5單選(1分)
DRAM的刷新方式，是以__A__爲單位進行的。
A.行
B.列
C.行或者列
D.存儲單元
6單選(1分)
下列關於主存存取速度說法錯誤的是 D
A.存取時間分讀出時間和寫入時間兩種
B.通常存取週期大於存取時間
C.存取時間又稱爲存儲器的訪問時間，是指啓動一次存儲器操作到完成該操 作所需的全部時間
D.存取週期（Memory Cycle Time)是指存儲器進行連續兩次獨立的存儲器操作所需的總時間
7單選(1分)
隨機存儲器按其存儲信息的原理不同，可以分爲靜態RAM和動態RAM兩大類。
動態RAM基礎電路有三管式和單管式兩種，它們的共同特點都是靠電容存儲電荷的原理來寄存信息。若電容上存有足夠多的電荷表示存“1”，電容上無電荷表示存“0”。電容上的電荷一般只能維持1~2ms，因此即使電源不掉電，信息也會自動消失。爲此，必須在2ms內對其所有存儲單元恢復一次原狀態，這個過程稱爲再生或刷新。
動態RAM的刷新有集中刷新，分散刷新，異步刷新之分。集中刷新是在規定的一個刷新週期內，對全部單元集中一段時間逐行進行刷新，刷新時必須停止讀/寫操作。在一個刷新週期內不能進行讀/寫操作的時間稱爲“死時間”，又稱爲“死區”，其所佔的比率稱爲“死時間率”。
某動態RAM的刷新時間分配示意圖如下，它的刷新方式爲_____,死時間率是____C
A.異步刷新、1.2%
B.分散刷新、3.2%
C.集中刷新、3.2%
D.集中刷新、1.2%
8單選(1分)
按照在計算機中的作用，存儲器可以分爲主存儲器、輔助存儲器和緩衝存儲器，下列屬於輔助存儲器的是___D
A.靜態RAM
B.Flash Memory
C.動態RAM
D.磁盤
9單選(1分)
某存儲器容量爲32K*16位，則___C
A.地址線爲16根，數據線爲32根
B.地址線爲32根，數據線爲16根
C.地址線爲15根，數據線爲16根
D.地址線爲16根，數據線爲15根
10多選(2分)
下列關於半導體存儲器的特點說法正確的是___ABC
A.存取時間短
B.具有易失性
C.體積小
D.存取時間長
11多選(2分)
主存各存儲單元的空間位置是由單元地址號來表示的，不同的機器存儲字長也不相同，通常用8位二進制數表示一個字節，因此存儲字長都取8的倍數。通常計算機系統即可以按字尋址，也可以按字節尋址。
如下所示，某機器1的字長爲32位，它的每一個存儲字包含4個可獨立尋址的字節，其地址分配如下圖（左）所示。某機器2的字長爲16位，字地址是2的整數倍，它用低位字節的地址來表示字地址，如下圖（右）所示。
以下說法正確的是：____AC
A.設地址線24根，對於機器1，按字節尋址 2^24 = 16M
B.設地址線24根, 對於機器2，按字尋址4M
C.設地址線24根, 對於機器1，按字尋址4M
D.設地址線24根, 對於機器1，按字尋址8M
12多選(2分)
以下關於動態RAM和靜態RAM刷新操作的描述正確的是___AC
A.靜態RAM不需要刷新
B.動態RAM和靜態RAM都不需要刷新
C.動態RAM需要刷新
D.動態RAM不需要刷新，靜態RAM需要刷新