MINI2440 ram：4k ， rom：沒有
程序運行：sdram ，norflash
程序存放：nandflash，norflash
nandflash和norflash最大區別：norflash可以片上運行程序（並行總線，引腳多），nandflash不能（串行總線，引腳少）
通常linux操作系統存放在nandflash裏面
nandflash啓動模式：開發板上電時，nandflash控制器把前4K代碼複製到2440的內部4ksram中，然後通過硬件機制把2440內部4ksram地址映射到爲0的地址開始，程序開始執行這4k代碼
這4k代碼包含功能：初始化sdram，複製nandflash中的代碼到sdram中，然後跳轉到sdram中運行
noflash啓動模式：norflash也有同樣的最前面的4k代碼，只不過不需要複製到2440內部4ksram這個過程，因爲norflash可以片上執行程序
上面所說的4K代碼也就是包含了啓動代碼
（其實啓動代碼可以小於4K或大於4K，但當大於4K時拷貝的4k代碼裏必須包含功能：初始化sdram，複製nandflash中的代碼到sdram中，然後跳轉到sdram中運行小於4k時複製的4k程序執行完啓動代碼後會跳轉，剩下的空間不執行）
NANDFLASH的相關操作原理：
NANDFLASH的擦除操作
NANDFLASH壞區檢測
ID號檢測
壞區標識
任意地址區間的讀寫 ：以前沒有任意讀寫功能，現在升級了，但實際應用中讀沒問題，寫可能會出錯
讀寫校驗
NandFlash的ECC校驗過程總結：
寫頁操作： （8位的nandflash）
在寫完一頁數據後，硬件會自動產生4個字節的主區ECC，硬件自動存放到rNFMECC0裏面，再編程保存（寫）到Space區，
此時又會產生2個字節的Space區ECC，硬件自動存放在rNFSECC寄存器的低兩字節裏面 。再編程保存（寫）到Space區，
讀頁操作： （8位的nandflash）
在讀完一頁數據後，也會產生四個字節的主區ECC，硬件自動存放到rNFMECC0裏面， （等待與之前寫數據的時候產生的主區ECC進行比較） 再讀取之前保存在Space區的4個字節的主區ECC （mecc0=NF_RDDATA();這時讀完操作後又會產生兩個字節的Space區的ECC，硬件自動存放在rNFSECC的低兩字節裏面），放到寄存器rNFMECCD0和rNFMECCD1的bit0--7和bit16--23，放入後硬件會自動和讀頁操作時產生的主區ECC（放在NFMECC0寄存器裏面）進行比較。再讀取保存在Space區的兩字節的Space區ECC（secc=NF_RDDATA();低2個字節爲spare區的ECC值），放到寄存器rNFSECCD的bit0--7和bit16--23，放入後硬件又會自動和讀操作時產生的Space區ECC（放在NFSECC寄存器裏面的低兩字節）進行比較，最後主區ECC、Space區ECC的比較結果可以通過NFESTAT0寄存器
的低四位來進行查詢，判斷讀、寫時分別產生的ECC是否相同，如果相同則說明讀取數據成功，否則讀取失敗。
16位的nandflash操作過程與8位相似，只不過16位的nandflash主區ECC爲8個字節，存放在rNFMECC0和rNFMECC1兩個寄存器裏面 Space區ECC有4個字節，也是存在rNFSECC寄存器裏面（8位nandflash只用到了低兩字節）
具體詳情可以參考S3C2440的nandflash控制器部分內容