我的電源之路日記——堅持便能做到想做的。
現在是大三上學期，2015年11月3號上午於8-111。
最近這些天閒着無聊創建了博客，準備做一個長久的電源攻城師，我準備好了，你呢？
Buck電路之同步整流：先上圖
在選擇拓撲的時候，沒有多想，直接選擇了同步整流的拓撲結構，採用了電源隔離，一直以爲地分開就是了，所以採用了兩路15v的隔離電源，沒想到居然誤解了懸浮地的概念，請教了學姐恍然大悟，原來懸浮地可以只將地給懸浮了。
而參數上面，我本意是做一個30-12v輸出最大2A的DC-DC，沒有想太多，簡單的認爲一個降壓電路就行了，不搞太複雜，畢竟是剛上路不久。所以通過搜資料問學zhang決定了這麼做。在尖峯吸收回路上面我是有很多疑問的，首先，mosfet的開通關斷會產生很大的浪涌電壓he浪涌電流，驅動波形會產生很大的尖峯，尋找了好多的尖峯吸收電路（不過也就那幾種），問了有經驗的學姐學長，得到了一個答案RC吸收回路就行了，而選擇值則是靠自己經驗取，他們的經驗值是102-100，電阻大了不好，電容大了損耗大，電容小了沒什麼作用。我偏愛這個肖特基管fr107，所以選擇RCD，還沒有請教老師，不怎麼想去耽誤老師。電感值是自己計算得到的，網上公式很多的，所以不列出來了。因爲每一個電路算的都不一樣。電容是越多越好（注意度-體積-面積），電容有一個必須得好好考慮的，那就是它的esr，這個東西它很坑，有時它還是有點點好處的，我至今沒發現ESR有什麼好處，只知道它會有點好處。mosfet的選擇，在實驗室嘛，當然首先考慮實驗室有的器件，當然我用的這個IRF540也是挺好的，參數沒得說，夠用。典型值Rds=49m歐姆，最大77m，前提：Vgs=10v，Id=17A。IRF540的G極加了兩個電阻22歐姆是用來防止過激勵和欠激勵，太大了會影響mosfet的正常開通關斷。一般100以內吧，我一般取10或22歐姆。採樣電阻我選擇0.1歐姆的康銅絲，地端的處理相當的重要。電壓採樣相對簡單，使用電阻分壓採樣，加了一個運放跟隨，阻抗匹配（現在理解還是不夠深）。簡單一個buck在我這裏是這麼做的，忘了一個很重要的東西：死區，程序裏面一定要加死區。不然管子會啪啪啪的。至於死區怎麼加，等調試再說。現在只做了硬件。理解錯了的地方或者需要改進的希望能指正。謝謝。
不積跬步無以至千里，不積小流無以成江海。蠢是沒有辦法改變的了，只有努力吧。我就是蠢，但是我相信我可以的。不信來戰！