DDR SDRAM（Dual date rate SDRSM）又簡稱DDR，翻譯成中文就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以說是目前廣泛應用的 SDRAM的升級換代版本，在它的催生下，2000年下半年的內存止跌不穩已經徹底摧毀了SDRAM多年營造起來的價格市場。從技術上分析，DDR SDRAM最重要的改變是在界面數據傳輸上，其在時鐘信號上升緣與下降緣時各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速率爲傳統SDRAM的兩倍，由於僅多采用了下降緣信號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。另一個明顯的改變是增加了一個雙向的數據控制接腳（Data Strobe，DQS）。當系統中某個控制器發出一個寫入命令時，一個DQS信號便會由內存控制器送出至內存。
此外，傳統SDRAM的DQS接腳則用來在寫入數據時（單向：內存控制器?DRAM）做數據遮罩（Data Mask）用。由於數據、數據控制信號（DQS）與DM同步傳輸，不會有某個數據傳輸較快，而另外的數據傳輸較慢的skew（時間差）以及Flight Time（控制信號從內存控制器出發，到數據傳回內存控制器的時間）不相同的問題。此外，DDR的設計可讓內存控制器每一組DQ／DQS／DM與DIMM 上的顆粒相接時，維持相同的負載，減少對主板的影響。在內存內部架構上，傳統SDRAM屬於×8組態（organization），表示內存核心中的 I／O寄存器有8位數據I／O，不過對於×8組態的DDR SDRAM而言，內存核心中的I／O寄存器卻是16位的，一次可傳輸16位數據，在時鐘信號上升緣時輸出8位數據，在下降緣再輸出8位數據。此外，爲了保持較高的數據傳輸率，電氣信號必須要求能較快改變，因此，DDR改爲支持電壓爲2.5V的SSTL2信號標準。
DDR 內存從型號上看分爲兩種，一種叫做 PC 1600，每秒鐘可傳輸 1.6GB 的數據，正好是目前100兆赫 SDRAM 內存的兩倍；另一種叫做 PC 2600，峯值數據傳輸率可達每秒2.6GB。與價格昂貴的Rambus 相比，DDR有如下幾個優勢：一是由於它是在 SDRAM 內存技術的基礎上開發的，因此不僅與目前的個人電腦體系架構有着很好的兼容性，而且開發生產成本低廉。二是DDR較少存在許可協議的問題。內存廠商要生產 Rambus 內存條，必須向 Rambus 公司繳納一筆不菲的費用，以獲得生產許可證，這無疑影響到廠家的利潤。而DDR內存的規格是免費提供的。三是各大廠商的支持。2001年，包括IBM等在內的諸多IT巨頭都宣佈將支持 DDR 內存，特別是IBM 還專門設計了兩組芯片組，既支持 DDR 內存，也能大幅提高系統總線的速度。而AMD 公司即將全面上市的760芯片組（支持單處理器電腦）和770芯片組（支持雙處理器電腦）將全面支持200兆赫和266兆赫系統總線，也是爲了滿足 DDR 內存技術標準而設計的。
可能解釋的不全面，你到網上去找能找到很多這方面的。現在主流的DDR，一般是DDR333、DDR400以及DDRII533。SD基本上屬於被淘汰的產品，速度DDR比SD快了很多，而且價格也不錯。現在的主板一般都只支持DDR了
DDR SDRAM是DDR和DDRⅡ的全稱,也就是說DDR \DDRⅡ都是DDR SDRAM.
而DDR DDRⅡ的區別在哪呢?
與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當於DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作爲對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。
與雙倍速運行的數據緩衝相結合，DDR2內存實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的數據，比傳統DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，儘管DDR2內存採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因爲DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數量爲240針，而DDR內存爲184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓爲1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標準規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更爲良好的電氣性能與散熱性，爲DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨着Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
在瞭解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率爲200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認爲的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。
DDR內存通常採用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，爲DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面爲了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是爲了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鐘週期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鐘週期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞衝突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨着技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決
DDR和DDR2的區別嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱爲DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認爲是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鐘週期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鐘週期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱爲雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDL本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR爲184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。
DDR2內存起始頻率從DDR內存最高標準頻率400Mhz開始，現已定義可以生產的頻率支持到533Mhz到667Mhz,標準工作頻率工作頻率分別是200/266/333MHz，工作電壓爲1.8V。DDR2採用全新定義的240 PIN DIMM接口標準，完全不兼容於DDR的184PIN DIMM接口標準。
DDR2和DDR一樣，採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但是最大的區別在於，DDR2內存可進行4bit預讀取。兩倍於標準DDR內存的2BIT預讀取，這就意味着，DDR2擁有兩倍於DDR的預讀系統命令數據的能力，因此，DDR2則簡單的獲得兩倍於DDR的完整的數據傳輸能力。
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於所謂的兩倍於DDR的傳輸能力，而是，在採用更低發熱量，更低功耗的情況下，反而獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制
而DDR DDRⅡ的區別在哪呢?
與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當於DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作爲對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。
與雙倍速運行的數據緩衝相結合，DDR2內存實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的數據，比傳統DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，儘管DDR2內存採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因爲DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數量爲240針，而DDR內存爲184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓爲1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標準規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更爲良好的電氣性能與散熱性，爲DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨着Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
在瞭解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率爲200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認爲的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。
DDR內存通常採用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，爲DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面爲了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是爲了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鐘週期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鐘週期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞衝突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨着技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決
DDR和DDR2的區別嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱爲DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認爲是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鐘週期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鐘週期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱爲雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDL本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR爲184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。
DDR2內存起始頻率從DDR內存最高標準頻率400Mhz開始，現已定義可以生產的頻率支持到533Mhz到667Mhz,標準工作頻率工作頻率分別是200/266/333MHz，工作電壓爲1.8V。DDR2採用全新定義的240 PIN DIMM接口標準，完全不兼容於DDR的184PIN DIMM接口標準。
DDR2和DDR一樣，採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但是最大的區別在於，DDR2內存可進行4bit預讀取。兩倍於標準DDR內存的2BIT預讀取，這就意味着，DDR2擁有兩倍於DDR的預讀系統命令數據的能力，因此，DDR2則簡單的獲得兩倍於DDR的完整的數據傳輸能力。
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於所謂的兩倍於DDR的傳輸能力，而是，在採用更低發熱量，更低功耗的情況下，反而獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制