在說明初始化之前先了解一下SDRAM的一些基礎知識吧.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步動態隨機存儲器。同步是指其時鐘頻率與CPU的前端總線的系統時間頻率相同，並且他的內部命令的發送與數據的傳輸都是以這個時鐘爲基準的，動態是指存儲陣列需要不斷的刷新才能保證數據的不丟失。隨機是指數據不是線性存儲的，是可以自由指定地址進行數據讀寫。
位寬：是指內存一次數據傳輸的數據量就是位寬，以位爲單位。
SDRAM的內部結構:
SDRAM相當於一個excel，一個工作溥中有幾個工作表，每個工作表裏有行列。
SDRAM中的一個bank就相當於excel中的一個工作表, SDRAM中的行(Column)與列(Row)相當於工作於中的行與列，我們對內存的讀寫就是根據bank 號 Column 、Row來準確的找到所需要的單元格(存儲陣列)。
由於技術、成本等原因，不可能只做一個全容量的Bank,而且最重要的是，由於SDRAM的工作原理限制，單一的Bank將會造成非常嚴重的尋址衝突，大大降低了內存的效率，所以把SDRAM內部分割成多個Bank,較早以前是2個，目前市面上大多都是4個Bank的，
SDRAM容量的計算。
SDRAM容量 = 單元格的總數（地址總數） X 位寬
單元格的總數 = Bank數 X Column數 X ROW數
如果要以字節爲單位的話，剛需要將SDRAM容量(bit) / 8(bit)
型號爲:HY57V641620E的爲64Mbit (8M字節)位寬爲16bit 的SDRAM，內部結構爲4個Bank,Column數爲 8(CA0-CA7),Row數爲12(RA0- RA11),SDRAM的行地址線和列地址線是分時複用的，即地址要分兩次送出，先送出行地址，再送出列地址。這樣，可以大幅度減少地址線的數目。
計算方法爲：每個bank的容量爲: 2 Row 次方 X 2 的Column X 16(bit) = 256 X4096 X 16 /1024 = 16384 bit = 16 Mbit = 2 M字節，再乘以bank 數就是64 Mbit （8M字節了）,更簡單的方法是行列加起了相當於20根地址線，所以每個bank能訪問的地址空間是 2 的20次方 = 1048576 bit = 1M字節，但由於第次傳輸的數據位寬是16位，所以每個bank的空量是 16 Mbit ,總共有4個bank
，所以就有64Bbit的容量，換成字節單位就是8M字節。
初始化：
上電後，等到VDD和VDDQ穩定後並且CKE設爲高電平時。
1.將SDRAM的一些特性寫入配置寄存中，如，同步時間 ，列數，行數，CAS延時等，還有需要將數據線寬度寫入模式寄存器，這個數據寬度是要根據實妹的硬件接口寬度的。
2. 等待一個最少200us 的延時，這個根據不同的SDRAM可能不同
3. 向SDRAM 發一個NOP命令:應用程序需要把模式模式寄存器寫爲模式1並寫一個數到任意地址
4. 設置所有Bank 預衝電(precharge):應用程序需要將模式寄存器設置爲模式2並下任意地址寫入數據，可能需要延時.
實際上，預充電是一種對工作行中所有存儲體進行數據重寫，並對行地址進行復位，同時釋放S-SMP(重新加入比較電壓，一般是電容電壓的1/2，以有助於判斷讀取數據的邏輯電平，，S-AMP是通過一個參考電壓與存儲體的電壓比較來判斷邏輯值的)，以用來準備新的工作。
5. 自動刷新(auto refresh). 提供8個自動刷新時序。將模式寄存器切換到 第四種方式，並向任意地址寫一個數據，重複8次。
刷新說明，因爲SDRAM需要不斷的進行刷新，所在稱作爲動態內存-DRAM，刷新操作有兩種，一種是Auto Reresh，簡稱AR,另一種是Self Refresh ,簡稱是SR,但不管是哪種刷新方法，都不需要外部提供行地址住處，因爲他們都是內部的自動操作。結於AR,SDRAM有一個行地址生成器（也稱亻刷新計數器）用來自動依次生成行地址。由於刷新是針對一行中所有存儲單無際是行的，所以無需列尋址，或都說CAS在RAS之前，所以AR在有的地方叫作 CBR（意思是CAS Before RAS）式刷新。
刷新時間，目前公認的標準是，存儲單元中電容的數據有效保存上限是64ms(1000ms = 1 s),也就是說每一行新的循環週期是64ms,我們在有的內存上看這樣樣的參數4096 Refresh Cycles/64ms之類的信息，從中可以看出，這個內存的行是
12行，相當於每一行就行地址的掃描時間是64ms / 4096 = 15.625us(1000us = 1ms)。
6. 設置CAS延時與突發長度。數據將模式寄存器設置爲第三種模式,然後向寫入任意數據。
空發時間Burst Length :空髮長度是什麼呢，如果突發長度(BL)爲4，那就是每次傳輸的的是4 X W(數據寬度)的數據，這樣就可能造成第二筆數據是不需要的，這就引入了數據掩碼(DQM)技術，通過DQM，，內存可以控制I/O數據取消哪些輸出或輸入的數據。
7,設置爲正常工作模式，然後向SDRAM寫入任意
8.將刷新率寫入SDRAM的刷新計數器中，刷新率=刷新週期之間的延遲。
以上初始化的基於MCU是at91sram7se,SDRAM是HY57V641620XXX
內存顆粒識別
看看如今CPU的發展，頻率一再衝高，二級緩存也一路飆升。但是CPU速度越來越快，是不是整個系統的性能提升了嗎？當然不是！如果把整個系統 比喻成一個木水桶，它性能就好比是水桶的盛水量，那系統的各個配件就是組成水桶的木板。如果其中一片木板短了一截，整個水桶的盛水量就會跟着降下來。換言 之，要使整個電腦系統的每個配件都發揮全部功效，那就要求配件之間不存在所謂的“瓶勁”。在衆多的瓶勁中，內存方面的瓶勁尤爲突出。如何挑選適合自己的內 存條，成爲很多DIYer們考慮的重要問題。
首先，你要了解自己的CPU到底是個什麼“樣子”。這裏的樣子就是CPU自己的帶寬大小。比如說P43.0c的外頻是200MHz，前端總線頻 率高達800MHz，而它提供的前端總線帶寬是64位總線位寬×200 MHz系統外頻×4倍/8=6400MB/s。要讓系統不會出現瓶勁，那我們就要讓內存的帶寬也要達到6400MB/s。如果是在以前，這在技術上根本就 不可能，不過電腦廠商們從另外一個方面解決了這個問題，那就是內存的雙通道DDR技術！所謂雙通道，它是相對於以前的單通道來說的。在單通道時代，無論你 插上幾根內存條，內存總帶寬就是單條內存的帶寬，就算是現在，除了I850E支持的Rambus PC1066規範外，根本沒有內存可以滿足處理器的需要。而雙通道DDR技術，是一種可以讓2條DDR內存共同使用，數據並行傳輸的技術。雙通道DDR技 術的優勢在於，它可以讓內存帶寬在原來的基礎上增加一倍，這對於P4處理器來說，可謂最佳搭配。不過要說明一點，雙通道DDR技術並不只是針對P4的超線 程技術而言的。就拿FSB533MHz的P4處理器來說，其本身帶寬達到4.3G/s，而一條DDR333的帶寬僅僅有2.7G/s，就算是現在當紅的 DDR400的帶寬也就3.2G/s。所以說雙通道DDR技術的出現，在很大程度上解決了CPU“好漢使不出力”的情況，使主板、CPU、內存之間的傳輸 速率達到更好的協調。
其次，對內存本身的選擇，主要注意以下幾個方面：
首先是內存的做工和用料。
內存的做工和用料的好壞主要體現在PCB板質量、.佈線設計是否合理、.使用的內存顆粒的質量等級和品牌自由品質控制。隨着電腦芯片的頻率增加， 穩定性也越來越重要，所以現在品牌內存大多采用6層板，目的就是爲了設計具有完整的電源層和其他層，且完善的過濾雜波，來保證內存穩定的高速運轉。而內存 顆粒的品質，一般人較難辨別，不過名牌內存條一般都會採用A級內存顆粒，質量絕對有保障，所以在這裏向大家推薦買內存條的時候最好選名牌，這已經不僅僅是 錢的問題了，一不小心搞到一條差的內存條，輕側讓你身心疲憊，重則還要多花上幾百塊錢重新購買，真是欲哭無淚呀~~~（現在市場上主流的名牌內存 有：KINGSTONE,KINGMAX,金邦，三星金條等）此外還要注意內存的remark！！
提起remark，實在是讓我們這些消費者深惡痛絕。俗話說，誠信第一，但那些JS就是要擺你一道，稍微不留神就要被“黑”。本人少說也幫人裝 過幾十臺電腦，對電腦硬件還算略知一二，去年幫一哥們裝機，就遇到被JS黑內存的狀況。所以一氣之下，回家上網收集了一下識別內存編號的文章，在這裏拿出 來給大家分享一下：
三星顆粒
一、三星顆粒一般以KM開頭
二、內存顆粒類型：4表示DDR SDRAM
三、芯片輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
四、工作電壓：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V
五、內存顆粒位數：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit
六、芯片容量及刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs]
七、內存BANK：3：4排、4：8排
八、電壓：混合接口LVTTL+SSTL3(3.3V)、1：SSTL2(2.5V)
九、封裝類型：T：66針TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)
十、工作頻率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、 133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、 200MHz(400Mbps)
HYUNDAI
一、HY是現代顆粒的標誌
二、內存顆粒類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
三、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
四、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
五、芯片輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
六、內存BANK：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關係
七、電壓代表：1:SSTL_3、2:SSTL_2
八、芯片版本：可以爲空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
九、功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
十、封裝類型：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，T TG=16mm TSOP-Ⅱ
十一、工作頻率：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A
Micron（美光）
一、 MT是代表Micron的產品
二、內存顆粒類型：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus
三、工作電壓：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS
四、設備號碼
五、內存容量：無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）
六、芯片輸出的數據位寬：4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
七、代表封裝:TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60 針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉芯片封裝，FQ=反轉芯片密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針 FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA
八、內存顆粒速度：分爲四大類 DRAM SD RAMBUS DDR
1、DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
2、SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鐘頻率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
3、DDR SDRAM（x4，x8，x16）時鐘頻率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
4、Rambus（時鐘頻率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含義
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
九、功耗：L=低耗，blank=普通
WINBOND（華邦）
一、W表示內存顆粒是Winbond生產
二、內存類型：98爲SDRAM，94爲DDR RAM
三、內存的版本號：常見的版本號爲B和H；
四、封裝類型，H爲TSOP封裝，B爲BGA封裝，D爲LQFP封裝
五、工作時鐘頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、 150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz
但現今有一部分內存條在內存顆粒表面覆蓋上了散熱金屬片，那這就看不到顆粒上的編碼。這時候我們可以用一款內存檢測軟件來識別，他就是最近走紅的AIDA。通過它我們可以輕易地看到內存的真面目。
最後，內存品牌並不是代表內存顆粒的品牌，這一點要十分注意。不是說散裝HY內存顆粒的內存條就是HY原廠內存， 那些往往就是一些散戶加工而成，質量總的來說沒什麼保障。同樣的，作爲世界第一大內存生產廠商的Kingston，其使用的內存顆粒確是五花八門，既有 Kingston自己顆粒的產品，更多的則是現代（Hynix）、華邦（Winbond）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、英飛凌 （Infinoen）、美光（Micron）等等衆多廠商的內存顆粒。JS的騙人手法天天在變，所以我們也要用知識武裝自己，買之前一定要先了解清楚，務 必打贏每一次DIY商戰