NAND Flash的尋址方式和NAND Flash的memory組織方式緊密相關。NAND Flash的數據是以bit的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell中只能存儲一個bit。這些cell以8個或者16個爲單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。
這些Line會再組成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。然後，每32個page形成一個Block，Sizeof(block)=16kByte.Block是NAND Flash中最大的操作單元，擦除就是按照block爲單位完成的，而編程/讀取是按照page爲單位完成的。
所以，按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址：
-Block Address
-Page Address
-Column Address
首先，必須清楚一點，對於NAND Flash來講，地址和命令只能在I/O[7:0]上傳遞，數據寬度可以是8位或者16位，但是，對於x16的NAND Device，I/O[15:8]只用於傳遞數據。
清楚了這一點，我們就可以開始分析NAND Flash的尋址方式了。
以528Byte/page 總容量512Mbit+512kbyte的NAND器件爲例：
因爲,
1 block=16kbyte，
512Mbit=64Mbyte，
Numberof(block)=1024
1block=32page,
1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)
用戶數據保存在main area中。
512byte需要9bit來表示，對於528byte系列的NAND，這512byte被分成1st half和2nd half,各自的訪問由所謂的pointer operation命令來選擇，也就是選擇了bit8的高低。因此A8就是halfpage pointer，A[7:0]就是所謂的column address。
32個page需要5bit來表示，佔用A[13:9]，即該page在塊內的相對地址。Block的地址是由A14以上的bit來表示，例如512Mb 的NAND，共4096block，因此，需要12個bit來表示，即A[25:14]，如果是1Gbit的528byte/page的NAND Flash，共8192個block，則block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block
NAND Flash的地址表示爲：
Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address
地址傳送順序是Column Address,Page Address,Block Address。
由於地址只能在I/O[7:0]上傳遞，因此，必須採用移位的方式進行。
例如，對於512Mbit x8的NAND flash，地址範圍是0~0x3FF_FFFF，只要是這個範圍內的數值表示的地址都是有效的。
以NAND_ADDR爲例：
第1步是傳遞column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可傳遞到I/O[7:0]上而halfpage pointer即bit8是由操作指令決定的，即指令決定在哪個halfpage上進行讀寫，而真正的bit8的值是don't care的。
第2步就是將NAND_ADDR右移9位，將NAND_ADDR[16:9]傳到I/O[7:0]上;
第3步將NAND_ADDR[24:17]放到I/O上;
第4步需要將NAND_ADDR[25]放到I/O上;
因此，整個地址傳遞過程需要4步才能完成，即4-step addressing。
如果NAND Flash的容量是256Mbit以下，那麼，block adress最高位只到bit24，因此尋址只需要3步。
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