DDR的前世今生

RAM、SRAM、DRAM、SDRAM、DDR SDRAM的演變

ROM和RAM指的都是半導體存儲器， ROM是Read Only Memory的縮寫，即只讀存儲器，是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器，其特性是一旦儲存資料就無法再將其改變或刪除，資料並不會因爲電源關閉而消失。
RAM是Random Access Memory的縮寫 ，即隨機存儲器 ，隨機是指數據不是線性依次存儲，可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM在掉電之後就會丟失數據。

RAM又分兩大類，一種爲SRAM (Static RAM，靜態RAM)，是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據，也就是說加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失。SRAM是早期讀寫最快的存儲設備，但也有其缺點，即它的集成度較低，相同容量的內存需要很大的體積，功耗也大；同時它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩存，二級緩存。

另一種爲DRAM (Dynamic RAM，動態RAM)， DRAM 只能將數據保持很短的時間，爲了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新的話，存儲的信息就會丟失；它的速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但價格上DRAM比SRAM要便宜，計算機內存就是DRAM的。

SDRAM (Synchronous DRAM，同步動態隨機存儲器) , 又是在DRAM的基礎上發展而來，同時也屬於DRAM中的一種。同步是指內存工作需要同步時鐘，內部命令的發送與數據的傳輸都以它爲基準。

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM，雙倍數據率SDRAM ) ，又是在SDRAM的基礎上發展而來，它的不同之處在於它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有着成本優勢。

LPDDR SDRAM（Low Power Double Data Rate SDRAM），是DDR SDRAM的一種，又稱爲 mDDR(Mobile DDR SDRAM),是美國JEDEC固態技術協會（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗內存而制定的通信標準，以低功耗和小體積著稱，專門用於移動式電子產品。

我們現在使用的DDR SDRAM其實就是屬於DRAM的一種，嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱爲DDR，一些內存顆粒的廠家通常會把DDR SDRAM劃分到DRAM分類裏面。

DDR還會根據它的不同應用分成其他的類型，如GDDR主要用於圖形處理，LPDDR主要用於低功耗等移動消費性電子，但萬變不離其宗，他們都是基於DDR的一些原理演變而來。

參考：http://www.edadoc.com/cn/TechnicalArticle/Show.aspx?id=943

2017年3月，JEDEC協會宣佈將在2018年正式發佈DDR5的技術規範。目前，DDR5的規範制定已經到0.5版本，會在DDR4的基礎上數據速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達32Gb，並預計會在2020年開始商用。

GDDR（Graphics Double Data Rate），是用於顯示的RAM技術，其特點是高帶寬、高延時。GDDR5技術實際來源於DDR3，只不過降低了電壓，減少了位寬（但支持更多Channel），通過數據編碼和讀寫線分開提高了數據速率（3G~6GT/s）。
從數據速率上來說，GDDR更高，適合顯示圖像這種需要大數據量傳輸而對時延不太敏感的場合；而DDR技術由於延時小，所以更適合於CPU這種數據隨機讀取的場合。

很多人會把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術混淆，實際上兩者應用場合不一樣，下面這張圖展示了三種主流內存技術（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對比與應用。

LPDDR5，5G時代手機的內存標準

• 多車道Bank Group架構
  LPDDR4x僅支持Single Bank Group，而LPDDR5支持多Bank Group模式，相當於數據傳輸從單車道變爲多車道，增加更多的並行數據通路，提升數據傳輸帶寬。

• 速率跨越式升級最多可達50%性能提升
  得益於多Bank Group模式，與上代LPDDR4x相比，LPDDR5的數據傳輸速率從4266Mbps提升至5500Mbps，傳輸帶寬從34GB/s提升到44GB/s，這是目前最高速率的內存規格，未來這一速率還會提升到6400Mbps，帶寬提升到51.2GB/s，提升50%之多。

• 超低功耗
  LPDDR5內部有三組電壓
  VDD1/VDD2/VDDQ
  其中VDD2又分爲VDD2H和VDD2L
  VDD1和VDD2屬於Core電源
  VDDQ屬於I/O接口電源
  相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V
  VDDQ由0.6V降至0.5V
  另外還有新加入的DVFSC和DVFSQ功能
  可在低速工作時切換至更低的0.9V和0.3V電壓
  進一步降低功耗。
  
  內存的邏輯bank和物理bank參考https://blog.csdn.net/jiajinkui1988/article/details/101904740