場效應管是場效應晶體管（Field Effect Transistor,FET）的簡稱。它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、受溫度和輻射影響小等優點，特別適用於高靈敏度和低噪聲的電路，現已成爲普通晶體管的強大競爭者。
普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時，多數載流子和少數載流子都參與運行，所以被稱爲雙極型晶體管；而場效應管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。
場效應管和三極管一樣都能實現信號的控制和放大，但由於他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應用方面，場效應管優於三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應管區別見下表。
場效應管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。
在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。