CMOS-IC電路

CMOS-IC電路

       金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管構成的集成電路稱爲MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即爲 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。

CMOS集成電路的性能特點

1. 微功耗—CMOS電路的單門靜態功耗在毫微瓦（nw）數量級。

　　高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。 寬工作電壓範圍—CMOS 電路的電源電壓一般爲1.5~18伏。 高邏輯擺幅—CMOS 電路輸出高、低電平的幅度達到全電? 吹繆梗 綽嘸 ?/FONT>1”爲V_DD，邏輯“0”爲V_SS。

        高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大於108Ω一般可達1010Ω。 高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大於50。 低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大於5PF。

　　寬工作溫度範圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度範圍爲
　　- 55 ⁰C ~ 125 ⁰C；塑封的CMOS電路爲 – 40 ⁰C ~ 85 ⁰C。

1. 所有的輸入均有刪保護電路，良好的抗輻照特性等。

　　你知道爲什麼CMOS電路的直流功耗幾近於零嗎？ JEDEC最低工業標準 JEDEC最低標準是電子工業協會（EIA）聯合電子器件工程委員會（JEDEC）主持下制定的CMOS集成電路的最大額定範圍和靜態參數的最低工業標準。下表即爲JEDEC 制定的CMOS集成電路的最大額定範圍：

電源電壓	VDD~VSS	18 ~ -0.5	V(DC)
直流輸入電流	IIN	士10	mA(DC)
輸入電壓	VI	VSS ≤VI ≤ VDD+0.5	V(DC)
器件功耗	PD	200	mw
工作溫度範圍	T	-55~125(陶封)，-40~85（塑封）	0C
存儲溫度範圍	TSTG	-65 ~ 150	0C

輸入輸出信號規則

• 所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個上拉或下拉電阻，以保護器件不受損害。

• 在某些應用場合，輸入端要串入電阻，以限制流過保護二極管的電流不大於10mA。

• 輸入脈衝信號的上升和下降時間必須小於15us, 否則必須經施密特電路整形後方可輸入CMOS開關電路。

• 避免CMOS電路直接驅動雙極型晶體管，否則可能導致CMOS電路的功耗超過規範值。

• CMOS緩衝器或大電流驅動器由於其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路採用大負載電容（≥500PF）時等效於輸出短路的情況。

• CMOS電路的輸出不能並接成線邏輯狀態。因爲導通的PMOS管和導通的NMOS管的低輸出阻抗會將電源短路。

主要封裝形式

• 雙列直插

• 扁平封裝