輸入：
數據輸入端 D0~D8 :九位寬的數據輸入。
復位端 RS：
無論什麼時候復位引腳置低，復位。 在復位期間，讀指針和寫指針被設置到第一個位置。上電之後和寫操作發生之前，需要一個復位操作。 寫使能（ W）輸入和讀使能（ R）輸入必須保持在高電平一段時間，這段時間到 RS上升沿之前用至少 15ns（tRSS）， RS上升沿以後用至少 10ns（ tRSR）（即： R/W=trss+trsr，在 trss 與 trsr 之間是 RS的上升沿）。
寫使能 W:
如果未設置標誌（ FF），在此輸入下降沿時，啓動寫週期。 數據設置的保持時間必須堅持到寫使能（ W）的上升沿。 數據儲存在 RAM 之中，對於任何的讀操作都是 獨立的 。 當內存一半的空間被填滿，在下一個寫操作的下降沿開始後， HF 將被置低，直到寫指針和讀指針之間的差額小於 或等於設備的總內存的一半；然後， 由讀操作的上升沿復位 爲了防止數據溢出， FF將在寫信號的最後一個下降沿被置低，並且進一步的抑制寫操作。 完成了一個有效地讀操作，在最多 15ns（tRFF）之後， FF將被置高，並且允許一個新的有效地寫操作開始。 當 FIFO是充滿狀態時，寫指針被鎖住， W 不能進行任何的有效操作。
讀使能 R：
EF未設置時，在一個讀使能（ R）的下降沿下開啓讀週期。 訪問一個先進先出的數據時，獨立於任何正在進行的寫操作。當讀使能（ R）置低以後，輸出數據 Q0~Q8將呈現高阻狀態，直到下一個讀操作的進行。 當所有的數據已經從 FIFO中讀出來時， EF將置低，並且允許最後一次的讀週期，但是之後，讀操作將被抑制，數 據輸出端將呈現高阻狀態；一旦有效的寫操作被完成，在最多 15ns（tWEF）之後， EF將被置高，這時，一個有效 地讀操作可以進行。 當 FIFO是空狀態時，讀指針被鎖住， R不能進行任何有效的操作。
第一次加載 / 重發端 FL/RT:
這是一個雙重目的的輸入端口。在深度擴展模式 ，這個引腳接地，以表示它是第一個加載的設備（詳情見操作模式） 。 XI 接地， 單一設備模式 啓動。 該系列芯片能重傳數據，只要重傳使能控制端（ RT）輸入 低脈衝 。 每一個重傳操作都將使內部讀指針指向第一個位置，然而不會影響到寫指針。 該標誌狀態的改變，取決於讀寫指針的相對位置。 在重傳期間，讀使能和寫使能必須在高電平狀態。 這個功能非常有用，當少於 16384 時，寫在復位之間被完成。 重傳功能不能與深度模式共同使用。
擴展 XI：
這是一個雙重目的的輸入端口。XI 接地表示在一個單一設備模式下。 在深度擴展模式或菊花鏈模式下， XI 可以與前級設備的 XO連接。
輸出：
滿標誌 FF：
當設備已經滿了時， FF將變低，抑制進一步的寫操作。如果在復位之後讀指針不移動，且寫入 16384 數據， FF將變低。
空標誌 EF：
當讀指針等於寫指針， EF將變低，抑制進一步的讀操作，此時表明設備是空的。
擴大輸出 /半滿標誌 XO/HF:
這是一個雙重目的的輸出端。 在單一設備模式下， XI 接地，此輸出作爲內存半滿的標誌。 當內存一半的空間被充滿且在下一個寫操作的低電平之後， HF 將被置低，，直到寫指針和讀指針之間的差額小於或 等於設備的總內存的一半；然後， HF 由讀操作的上升沿復位。 在深度模式下， XI 可以與前級設備的 XO連接。 當前級設備達到內存的最後一個位置時，此輸出端通過菊花鏈輸出一個單位脈衝給下一級設備。 當寫指針到達儲存器的最後一位時， 有一個 XO脈衝；當寫指針到達儲存器的最後一位時， 又有額外的一個 XO脈衝。
數據輸出 Q0~Q8：
爲 9bit 數據輸出。當 R 在高電平時，這些輸出處在高阻態。
復位操作
在上電之後，第一個寫操作之前，需要一次復位。復位操作在 RS的一次下降沿開始，至少 15ns（ tRS）以後 RS要上升沿復位完成，並且最少 10ns（tRSR）以後纔可以開始寫操作。
異步讀寫操作
讀操作
當 R 下降沿最少 15ns（tRPW）以後 R 纔可以讀操作， 當 R 上升沿以後數據輸出有效地數據持續時間至少 5ns（tDV）， 在最少 10ns（tRR）以後，可以開始下一個讀週期。 R下降沿到下一個下降沿爲一個週期。
寫操作
當 W 下降沿開始一個寫週期，至少 15ns（tWPW）以後 W 纔可以寫操作（ W 上升沿），在 W 上升沿以前，數據應當至少在 11ns 之前送到 D0~D8，在至少 10ns（tWR）以後，可以開始下一個週期。
操作模式
單一設備模式
僅使用一個該芯片且應用要求在 16384 字之內。在 XI 接地時，設備工作在單一設備模式。
深度模式
見下圖 :
當應用要求超過 16384 字時，可以添加額外的 IDT720x 芯片，它們應當工作在深度模式下。當這些器件工作在深度模式下時必須滿足以下條件：
1.第一個器件的 FL接地。
2.其他器件的 FL接高電平。
3.前級設備的 XO與後級設備的 XI 相連。
4.要用邏輯或器件將 FF和 EF複合起來。
5.在深度模式下，重傳功能和半滿標誌將不能使用。
