作者:睿一
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一、MOS管分類
場效應管按溝道分可分爲N溝道和P溝道管(在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣)。
按材料分可分爲結型管和絕緣柵型管,絕緣柵型又分爲耗盡型和增強型,一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管,並且大多采用增強型的N溝道,其次是增強型的P溝道,結型管和耗盡型管幾乎不用。
絕緣柵型場效應管(MOSFET) |
增強型 |
P溝道 |
N溝道 |
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耗盡型 |
P溝道 |
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N溝道 |
||
結型場效應管(JFET) |
|
P溝道 |
N溝道 |
二、MOS管工作原理
以增強型N溝道絕緣柵場效應管爲例,進行講解。
1、基本結構
2、符號:
3、工作原理
當uGS等於0V時,g極與襯底b極(s極與b極直接短接在一起),不能產生電場,從而不能電子區,即所說的耗盡層。漏源極之間相當遠兩個背對的三極管,即使在S和D極之間加壓,也不會產生電流。
當uGS大於0V時,g極與襯底b極(s極與b極直接短接在一起),增加縱向電場(如下圖所示),排斥空穴從而生成一片電子區,即所說的耗盡層。此時,在D和S極之間加正向電壓,則會產生電流ID。
三、MOS管重要參數
1、開啓電壓UT
2、夾斷電壓UP
3、跨導gm :gm=DiD/DuGS½ uDS=const
4、直流輸入電阻RGS ——柵源間的等效電阻。由於MOS管柵源間有SiO2絕緣層,輸入電阻可達109~1015Ω。
5、|uGS|越大,溝道越寬,在相同的漏源電壓|uSD|作用下,漏極電流ID越大。(PMOS和NMOS的電壓方向正好相反)