一、MOSFET的開通過程
MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解爲驅動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程，當給柵極施加驅動電壓後，MOSFET開通過程會分爲4個階段，其中Vgs、Ig、Vds、Id之間的關係如下圖：
t0-t1：Vgs快速上升，Ig逐漸降低。因爲Vgs還沒上升到MOSFET的開通電壓，因此Id一直爲0。
t1-t2：Vgs上升到Vgs(th)，MOSFET開通，Id開始上升，Vds開始下降，MOSFET進入飽和區。
t2-t3：由於米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電。Vgs在當前階段會保持不變，形成一個電壓平臺，稱爲米勒平臺。
t3-t4：米勒電容充滿電，Vgs繼續上升到外界驅動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區，Vds徹底降下來，開通結束。
二、米勒平臺的形成
在MOS開通前，D極電壓大於G極電壓，則MOS寄生電容Cgd中就會儲存着電荷。當MOS完全導通後G極電壓又會大於D極電壓，則Cgd中又會儲存極性方向相反的電荷。因此在MOS管開通的過程中，會有一個時間段，G極的驅動電荷用於中和Cgd中的電荷，並繼續灌入電荷使其中電荷的極性反向。這個時間段就是米勒平臺形成的時間段。
三、米勒效應的影響與解決方法
米勒效應會嚴重增加MOS的開通損耗。因爲它延長了MOS的開通時間。同時會降低MOS的開關速度。
解決方法：
1）、驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。但此時開關時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容。
2）、選擇Cgd小的MOS，在MOS的手冊中：
又根據公式：Ciss=Cgs+Cgd，Coss=Cds+Cgd，Crss=Cgd
可以得到Cgd。