雙向可控硅晶片光耦（TLP160J TLP260J TLP525G）基本原理及應用實例

TLP160J  TLP260J  TLP525G是輸出端採用雙向可控硅晶片的光耦，此3款光耦採用的是非過零觸發導通形式，因此應用在交流電的情況下，在交流電的任意相位，只要收到輸入的的觸發信號，輸出端就會開始導通，故可以改變交流電的導通角。

TLP160J和TLP260J，採用的是SOP-4的小封裝，而TLP525則是採用DIP-4的封裝，因此他們比傳統的DIP-6體積更小，能有效的節省PCB空間，減小客戶產品尺寸，產品尺寸小了，但耐壓能力卻沒有縮水，TLP525G耐壓達到400V，而TLP160J,TLP260J耐壓更是達到600V。

型號 基本參數	TLP525	TLP160J	TLP260J
封裝	DIP-4	SOP-4	SOP-4
觸發電流  IFT	10 mA	10 mA	10 mA
耐壓     VDRM	400 V	600 V	600 V
輸出電流  IT	100 mA	70 mA	70 mA
開管時壓降  VTM	3.0 V	2.8 V	2.8 V

 

基本原理

從他的基本原理圖可以看出，輸入端爲一個LED，一般爲940nm的紅外線LED，而輸出端爲一個雙向可控硅，門極由光電模塊取代，因此，雙向可控硅的導通，由LED進行控制。

可控硅的I/V曲線如下圖所示，圖中橫軸爲電壓，縱軸爲電流，橫軸最遠的地方爲他的耐壓值 VDRM，就算IF不給他信號，如果他的電壓超過VDEM，可控硅照樣會導通，IF的作用是降低VDRM的值。值得要注意的是，IFT實際上表達的意思是使VDRM將到3V以下的電流值。

因此當我們給LED一定電流時，可控硅的VDRM會降低，比如本來耐壓是600V，而現在可能變成100V，如果可控硅兩端的電壓是220V，就算此時IF的電流並未達到datasheet上上IFT的值，光耦的輸出端照樣會被導通。所以在使用可控硅輸出光耦時，當輸出端兩端的電壓越是大時，尤其要注意防止輸入端的雜訊，防止因爲雜訊的出現造成在不需要的時候導通。

應用實例

可使用雙向可控硅光耦去控制雙向可控硅的導通，用以驅動電機，燈源等負載，並且可實現調速調光等功能。在控制與驅動領域，雙向可控硅光耦應用非常廣泛。