STM32單片機內部EEPROM的讀寫

STM32L系列單片機內部提供了EEPROM存儲區域，但實質上，其FLASH也是EEPROM類型，只不過有一塊區域被開放出來專門用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用壽命設計爲100000次擦寫以上，容量爲2K-4K，這對於一般設備的參數存儲來說是非常理想的。但從EEPROM使用方式看，其不適用於被反覆修改的數據存儲使用，一般作爲配置參數，其修改次數往往是比較少量的。

    STM32L的EEPROM和FLASH是統一編址，操作共用同一個讀寫電路，所以在EEPROM讀寫的時候STM32L覈對於FLASH的一切訪問和操作都將暫停，只有當EEPROM的操作完成後，才繼續執行後續代碼，在這期間只有EEPROM的讀寫電路工作，CPU處於掛起狀態。

    讀操作，和FLASH以及內存一樣，EEPROM的數據讀取直接用總線讀週期讀出即可，不需要進行額外操作和設置。

#define EEPROM_BASE_ADDR    0x08080000
#define EEPROM_BYTE_SIZE    0x0FFF

    以上定義EEPROM區的起始位置和大小，給定偏移量之後，可以按字節/半字/字/雙字方式讀出，但要注意的是最好偏移地址都按四字節對齊，以免產生總線訪問錯誤或是取不正確：

    

/*------------------------------------------------------------
 Func: EEPROM數據按字節讀出
 Note:
-------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)
{
    uint8 *wAddr;
    wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
    while(Length--){
        *Buffer++=*wAddr++;
    }
}

    

/*------------------------------------------------------------
 Func: EEPROM數據讀出
 Note:
-------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_ReadWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)
{
    uint32 *wAddr;
    wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
    while(Length--){
        *Buffer++=*wAddr++;
    }
}

    以上方法使用字節和字方式讀出，在後面方法中，在一個字的存儲空間內只使用了16個位，另16位不用，這樣以避免產生對齊問題。

    EEPROM的編程比讀操作要複雜的多，本質上來說，擦除操作和寫入操作是一樣的，擦除只是在相應的地方寫入0x00000000，但在STM32L的實現上，根據其手冊說明貌似把這種擦除和寫入區分開了，當寫入0x00或0x0000或0x00000000時，自動執行一次擦除操作，在值爲非0時，才執行一次所謂的寫入操作。數據的寫入過程先要對EEPROM進行解鎖，這通過對特殊寄存器寫入特殊序列實現，然後在寫入之前進行擦除操作，其擦除是按字/ 雙字/頁進行的，推薦使用頁擦除方式進行，先把參數讀到內存，並修改，再進行頁擦除，最後將參數寫回，這種方式比較通用，否則很容易出現地址對齊或長度問題。在數據擦除完成之後，即可進行寫入，每寫一字節/半字/雙字，都需要判斷其是否寫入完成，這和內部高壓擦寫電路有關，只有在上次操作完成之後再進行其它操作纔有意義。最後，對EEPROM進行加鎖，以保護數據。

 

    下是手冊給出的解鎖命令碼：

    

#define PEKEY1  0x89ABCDEF      //FLASH_PEKEYR
#define PEKEY2  0x02030405      //FLASH_PEKEYR

    以下分別實現按字節和字方式寫入：   

/*------------------------------------------------------------
 Func: EEPROM數據按字節寫入
 Note:
-------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_WriteBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)
{
    uint8 *wAddr;
    wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
    DIS_INT
    FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock
    FLASH->PEKEYR=PEKEY2;
    while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);
    FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write
    while(Length--){
        *wAddr++=*Buffer++;
        while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);
    }
    FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;
    EN_INT
}

    

/*------------------------------------------------------------
 Func: EEPROM數據按字寫入
 Note: 字當半字用
-------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_WriteWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)
{
    uint32 *wAddr;
    wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
    DIS_INT
    FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock
    FLASH->PEKEYR=PEKEY2;
    while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);
    FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write
    while(Length--){
        *wAddr++=*Buffer++;
        while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);
    }
    FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;
    EN_INT
}

    以上代碼中，在寫入數據之前先關閉系統中斷DIS_INT，寫入完成之後打開系統中斷EN_INT，這樣避免在執行寫操作的過程中被中斷過程所打斷，引起CPU異常或鎖死，在在使用中一定要注意。在MDK環境中，兩個可以這樣定義：

    

#define EN_INT          __enable_irq();     //系統開全局中斷
#define DIS_INT         __disable_irq();    //系統關全局中斷