FSMC NORFlash 時序設置

一、時序介紹

二、
要保證正確地讀/寫,必須注意CPU時序與存儲器讀/寫週期的配合。一般存儲器芯片手冊都會給出芯片讀/寫週期的時序圖。

Intel 2114芯片的讀、寫週期時序如圖所示。

1、 讀週期


讀操作時,必須保證片選信號爲低電平,讀寫信號爲高電平。
tRC (讀週期時間):指對芯片連續兩次讀操作之間的最小間隔時間。
tA (讀出時間):從給出有效地址後,經過譯碼電路、驅動電路的延遲,到讀出所選單元內容,並經I/O電路延遲,直到數據在外部數據總線上穩定出現所需的時間。顯然,讀出時間小於讀週期時間。
tCO (片選到數據輸出穩定的時間):數據能否送到外部數據總線上,不僅取決於地址,還取決於片選信號。因此,tCO是從有效到數據穩定出現在外部數據總線上的時間。
tCX(片選到數據輸出有效時間):從片選有效到數據開始出現在數據總線上的間隔時間。
tOTD:片選無效後數據還需在數據總線上保持的時間。
tOHA:地址失效後,數據線上的有效數據維持時間,以保證所讀數據可靠。

 

2、寫週期


執行寫操作時,爲低電平,讀寫信號爲低電平。
tW(寫入時間):爲保證數據可靠地寫入,與同時有效的時間必須大於或等於tW。
tAW(滯後時間):地址有效後,必須經過tAW時間,WE/信號纔能有效(低),否則可能產生寫出錯。
tWR(寫恢復時間):WE/無效後,經tWR時間後地址才能改變,否則也可能錯誤地寫入。
tDW:寫入數據必須在寫無效之前tDW時間就送到數據總線上。
tDH:WE/無效後,數據還要保持的時間。此刻地址線仍有效,tWR>tDH,以保證數據可靠寫入。
tWC(寫週期時間):表示連續兩次寫操作之間的最小時間間隔。tWC = tAW + tW + tWR。

 

 

備註:

1、寫或讀訪問時序是存儲器片選信號的下降沿與上升沿之間的時間,這個時間可以由FSMC時序參數的函數計算得到:

寫/讀訪問時間= ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK

2、在寫操作中,DATAST用於衡量寫信號的下降沿與上升沿之間的時間參數:

寫使能信號從低變高的時間= tWP = DATAST × HCLK

爲了得到正確的FSMC時序配置,下列時序應予以考慮:

●最大的讀/寫訪問時間

●不同的FSMC內部延遲

●不同的存儲器內部延遲

因此得到:

((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK = max (tWC, tRC)

DATAST × HCLK = tWP

DATAST必須滿足:

DATAST = (tAVQV + tsu(Data_NE) + tv(A_NE))/HCLK – ADDSET – 4

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