1. 概念
eFuse的概念最早來源於2004年IBM工程師的發現。該發現表明：與更舊的激光熔斷技術相比，電子遷移(EM)特性可以用來生成小得多的熔絲結構。EM熔絲可以在芯片上編程，不論是在晶圓探測階段還是在封裝中。採用I/O電路的片上電壓(通常爲2.5V)，一個持續200微秒的10毫安直流脈衝就足以編程單根熔絲。
通過運用eFuse技術，允許計算機芯片的動態實時重新編程。
抽象地說，計算機邏輯通常是“蝕刻”或“硬編碼”到芯片上，在芯片完成後不能改變。通過使用eFuse技術，芯片製造商可以允許芯片上的電路在運行時發生變化。該技術的主要應用還主要是爲了芯片的性能調優。如果芯片局部發生問題，例如存儲器發生問題，或者需要花費太長的時間來響應，或者消耗了太多的電力，那麼芯片就可以通過“blowing”一個eFUSE來立即改變它的行爲，已保證其他功能不受影響。
具體些說，eFuse有點類似EEPROM，都屬於一次性可編程存儲器，eFuse ROM裏初始都是1，當且僅能一次把1改成0，也就“blowing”這個eFuse來進行編程，這樣芯片內部的電路就發生了改變，該技術對消費者而言沒有任何成本的增加。
2. 當前應用
- IBM POWER5 and POWER6 high-end RISC processors
- IBM System z9 and System z10 mainframe processors
- Sony/Toshiba/IBM Cell used in PlayStation 3
- IBM/Microsoft Xenon CPU in the Xbox 360 game console.
- In the Nintendo Switch's bootloader [1]
- TI OMAP3-based mobile phones and other devices[2][3]
- Samsung KNOX-enabled devices (KNOX warranty void bit)[4]