摩爾在1965年文章中指出，芯片中的晶體管和電阻器的數量每年會翻番，原因是工程師可以不斷縮小晶體管的體積。這就意味着，半導體的性能與容量將以指數級增長，並且這種增長趨勢將繼續延續下去。1975年，摩爾又修正了摩爾定律，他認爲，每隔24個月，晶體管的數量將翻番。根據摩爾定律，芯片設計師的主要任務便是縮小晶體管的大小，然後讓芯片能夠容納越多的晶體管。晶體管的增加可以讓設計師爲芯片添加更多的功能，比如3D顯卡，從而節約成本。
摩爾定律當前還是繼續有效的，儘管很多分析師與企業的官員已經放言摩爾定律將過時，但它可能仍然發揮作用。從理論的角度講，硅晶體管還能夠繼續縮小，直到4納米級別生產工藝出現爲止，時間可能在2023年左右。到那個時候，由於控制電流的晶體管門(transistor gate) 以及氧化柵極(gate oxide)距離將非常貼近，因此，將發生電子漂移現象(electrons drift)。如果發生這種情況，晶體管會失去可靠性，原因是晶體管會由此無法控制電子的進出，從而無法製造出1和0出來。