一、鐵氧體磁珠選型
通用型片式鐵氧體磁珠是應用最爲廣泛的EMI抑制元件，一般根據生產廠家提供的數據和阻抗頻率曲線選擇使用。廠家通常提供阻抗、直流電阻、額定電流等數據和阻抗頻率曲線。不同的磁珠，其阻抗Z隨頻率的上升趨勢是不同的。
選擇時要注意：在有用的信號頻率範圍內，阻抗應儘可能低，不致於造成信號衰減和畸變，而在需要抑制的EMI頻率範圍內，阻抗應儘可能高，能夠有效抑制高頻噪聲。同時還要考慮直流電阻和額定電流大小。
如果超過額定電流使用，將會使磁珠接近飽和，磁導率下降，以致抑制高頻噪聲的效果明顯減弱，這是不允許的。
設計中可以依據需要抑制的EMI信號的頻率和強度，要求抑制的效果以及允許佔用空間來選擇合適的鐵氧體磁珠，以保證對噪聲進行更有效的抑制。
1）磁導率與最佳抑制頻率範圍有關，在有DC或低頻AC電流的情況下，應儘量選用磁導率低的材料，以防止抑制性能的下降和飽和。
2）磁珠形狀和尺寸對EMI信號的抑制有一定的影響，一般來說，磁珠的體積越大，抑制效果越好。在有DC或AC電流的情況下，磁珠的橫截面積越大越不容易飽和。總之，在空間的允許範圍內，選擇儘量長、儘量厚和內孔儘量小的磁珠。
二、鐵氧體磁珠的安裝位置
在去耦電路中，爲了進一步提高去耦電容的效果，可以在去耦電容的電源側放置一個磁珠（電源先經過磁珠再到電容，磁珠和去耦電容組合可以看成一個低通濾波器。
鐵氧體磁珠對高頻電流呈較大的阻抗，所以阻止了電源向電路提供高頻電流，增強了去耦電容的效果。選用的磁珠應該是專門用來電磁干擾抑制的鐵氧體磁珠，這種磁珠在頻率較高時，呈現電阻特性，不會引起額外的諧振。
需要注意的是鐵氧體磁珠的位置，絕對不能放在去耦電容靠近IC的一側，如果放置在靠近IC一側，等於增加了電容輸出電荷的阻抗，降低了去耦電容的效果。
三、鐵氧體磁珠飽和
鐵氧體磁珠是磁性材料，會因流過的電流過大而產生磁飽和，當流過的電流大於額定電流的20%會導致磁珠飽和，使磁導率下降，以致抑制高頻噪聲的效果明顯下降，對於小信號濾波可以忽略電流，但是對於電源線或大功率信號濾波而言，必須要考慮峯值電流。